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更新时间:2022-12-29 11:14:51
首页 > 分立器件 > 晶体管 > 双极性晶体管 > 2N5401

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技术参数
额定电压(DC)
-150 V
额定电流
-600 mA
极性
PNP
耗散功率
625 mW
集电极击穿电压
160 V (min)
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
最小电流放大倍数(hFE)
60 @10mA, 5V
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
封装参数
安装方式
Through Hole
引脚数
3
封装
TO-226-3
外形尺寸
封装
TO-226-3
物理参数
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
符合标准
RoHS标准
Non-Compliant
含铅标准
Contains Lead
海关信息
ECCN代码
EAR99
产品概述

放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 150 V 600 mA 300MHz 625 mW 通孔 TO-92-3


得捷:
TRANS PNP 150V 0.6A TO92


艾睿:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk


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2N5401 数据手册Datasheet PDF 11
6 页,85 KB

2N5401 代替型号 更多代替型号

器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
2N5401
2N5401
ON Semiconductor (安森美)
双极性晶体管
当前型号
放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
当前型号
2N5401RLRAG
2N5401RLRAG
安森美
双极性晶体管
完全替代 主要性能参数、功能特性一致,端子和封装相符;更换不需要修改现有电路
ON SEMICONDUCTOR  2N5401RLRAG  双极性晶体管
2N5401和2N5401RLRAG区别
2N5401RLRMG
2N5401RLRMG
安森美
双极性晶体管
完全替代 主要性能参数、功能特性一致,端子和封装相符;更换不需要修改现有电路
放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
2N5401和2N5401RLRMG区别
2N5401ZL1G
2N5401ZL1G
安森美
双极性晶体管
完全替代 主要性能参数、功能特性一致,端子和封装相符;更换不需要修改现有电路
放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
2N5401和2N5401ZL1G区别
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2N5401品牌厂家:ON Semiconductor(安森美),2N5401渠道分销商:4家,现货库存数量:20 PCS,2N5401价格参考:¥0.264元。ON Semiconductor(安森美) 2N5401参数(TO-92 PNP -150V -600mA 625mW,封装:TO-226-3),u乐平台网站和引脚图及功能表说明书PDF下载(6页,85KB),您可以在2N5401双极性晶体管规格书Datesheet数据手册中,查到2N5401引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法,2N5401典型电路教程。 2N5401可以用什么代替?代换型号如:2N5401RLRAG、2N5401RLRMG替代换,2N5401系列中文手册中包含2N5401各引脚定义说明介绍及2N5401引脚功能图解,用户中文手册2N5401手册PDF下载(6页,85KB)。您可在采芯网下载2N5401产品选型手册,2N5401产品设计参考手册,2N5401用户编程技术手册,2N5401开发手册(1个文件)。

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