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更新时间:2022-10-20 18:58:58
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2N7002K
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美国 12000 立即发货 3000 EUR - - - 0.0287 0.0263 购买
美国 30000 6-8 3000 CNY - - - 0.2231 0.2142 购买

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参数列表
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技术参数
通道数
1
针脚数
3
漏源极电阻
2 Ω
极性
N-Channel
耗散功率
350 mW
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容(Ciss)
50pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
350mW (Ta)
封装参数
安装方式
Surface Mount
引脚数
3
封装
SOT-23-3
外形尺寸
长度
2.92 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.2 mm
封装
SOT-23-3
物理参数
工作温度
-55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
符合标准
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
Lead Free
REACH SVHC标准
No SVHC
REACH SVHC版本
2015/06/15
海关信息
香港进出口证
NLR
2N7002K 引脚图 | 封装图
2N7002K 引脚图
2N7002K 引脚图
2N7002K 封装图
2N7002K 封装图
产品概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002K  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V

The 2N7002K is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor features low on resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance and fast switching speed.

.
Low input/output leakage
.
±20V Gate-source voltage

欧时:
### 增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002K  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N沟道 增强型 场效应晶体管 SOT-23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


Online Components:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23


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2N7002K 代替型号 更多代替型号

器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
2N7002K
2N7002K
Fairchild (飞兆/仙童)
MOS管
当前型号
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002K  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
当前型号
MMBF170
MMBF170
飞兆/仙童
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF170  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
2N7002K和MMBF170区别
2N7002KT1G
2N7002KT1G
安森美
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON SEMICONDUCTOR  2N7002KT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 380mA SOT-23
2N7002K和2N7002KT1G区别
DMN601K-7
DMN601K-7
美台
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
·低导通电阻RDS(ON)·低栅极阈值电压·低输入电容·开关速度快·低输入/输出漏·无铅设计/ RoHS规定(注2)·ESD保护高达2kV·“绿色”设备(注4)
2N7002K和DMN601K-7区别
更多代替型号

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2N7002K品牌厂家:Fairchild(飞兆/仙童),2N7002K渠道分销商:10家,现货库存数量:30000 PCS,2N7002K价格参考:¥0.243元。Fairchild(飞兆/仙童) 2N7002K参数(TO-236-3 N-Channel,封装:SOT-23-3),博成娱乐app和引脚图及功能表说明书PDF下载(6页,277KB),您可以在2N7002KMOS管规格书Datesheet数据手册中,查到2N7002K引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法,2N7002K典型电路教程。 2N7002K可以用什么代替?代换型号如:MMBF170、2N7002KT1G替代换,2N7002K系列中文手册中包含2N7002K各引脚定义说明介绍及2N7002K引脚功能图解,用户中文手册2N7002K手册PDF下载(6页,277KB)。您可在采芯网下载2N7002K产品选型手册,2N7002K产品设计参考手册,2N7002K用户编程技术手册,2N7002K开发手册。

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