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更新时间:2023-12-15 00:54:07
首页 > 主动器件 > 存储芯片 > RAM芯片 > FM25V10-GTR
FM25V10-GTR
引脚图
  • 符合RoHS规范
  • 无铅
  • SOIC-8
    封装:SOIC-8
  • 6周
    原厂交货周期:6周
  • 2012年
    发布时间:2012
  • 参考价格:
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美国 0 56 2500 USD - - - 11.72043 10.52414 询价
美国 0 6-8 - CNY - - - 78.9815 78.9815 询价

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参数列表
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技术参数
供电电流
3 mA
针脚数
8
时钟频率
40 MHz
存取时间(Max)
18 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2 V
封装参数
安装方式
Surface Mount
引脚数
8
封装
SOIC-8
外形尺寸
封装
SOIC-8
物理参数
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
其他
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
符合标准
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
Lead Free
海关信息
ECCN代码
EAR99
FM25V10-GTR 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图
FM25V10-GTR 引脚图
FM25V10-GTR 引脚图
FM25V10-GTR 封装图
FM25V10-GTR 封装图
FM25V10-GTR 封装焊盘图
FM25V10-GTR 封装焊盘图
产品概述

FM25V10 系列 1 Mb(128K x 8) 3 V 表面贴装 串行 F-RAM 存储器 - SOIC-8

Description

The FM25V10 is a 1-megabit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes like a RAM. It provides reliable data retention for 10 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by Serial Flash and other nonvolatile memories.

Features

1M bit Ferroelectric Nonvolatile RAM

• Organized as 131,072 x 8 bits

• High Endurance 100 Trillion (1014) Read/Writes

• 10 Year Data Retention

• NoDelay™ Writes

• Advanced High-Reliability Ferroelectric Process

Very Fast Serial Peripheral Interface - SPI

• Up to 40 MHz Frequency

• Direct Hardware Replacement for Serial Flash

• SPI Mode 0 & 3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)

Write Protection Scheme

• Hardware Protection

• Software Protection

Device ID and Serial Number

• Device ID reads out Manufacturer ID & Part ID

• Unique Serial Number (FM25VN10)

Low Voltage, Low Power

• Low Voltage Operation 2.0V – 3.6V

• 90μA Standby Current (typ.)

• 5μA Sleep Mode Current (typ.)

Industry Standard Configurations

• Industrial Temperature -40 C to +85 C

• 8-pin “Green”/RoHS SOIC Package

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FM25V10-GTR 数据手册Datasheet PDF 9
24 页,786 KB

FM25V10-GTR 代替型号 更多代替型号

器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
FM25V10-GTR
FM25V10-GTR
Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
RAM芯片
当前型号
FM25V10 系列 1 Mb(128K x 8) 3 V 表面贴装 串行 F-RAM 存储器 - SOIC-8
当前型号
FM25V10-G
FM25V10-G
赛普拉斯
RAM芯片
完全替代 主要性能参数、功能特性一致,端子和封装相符;更换不需要修改现有电路
F-RAM,Cypress Semiconductor Ferroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。 非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM) FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
FM25V10-GTR和FM25V10-G区别
更多代替型号

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FM25V10-GTR品牌厂家:Cypress Semiconductor(赛普拉斯),FM25V10-GTR渠道分销商:7家,现货库存数量:3451 PCS,FM25V10-GTR价格参考:¥21.946元。Cypress Semiconductor(赛普拉斯) FM25V10-GTR参数(SOIC,封装:SOIC-8), 宝龙在线娱乐下载和引脚图及功能表说明书PDF下载(24页,786KB),您可以在FM25V10-GTRRAM芯片规格书Datesheet数据手册中,查到FM25V10-GTR引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法,FM25V10-GTR典型电路教程。 FM25V10-GTR可以用什么代替?代换型号如:FM25V10-G替代换,FM25V10-GTR芯片系列中文手册中包含FM25V10-GTR各引脚定义说明介绍及FM25V10-GTR引脚功能图解,用户中文手册FM25V10-GTR芯片手册PDF下载(24页,786KB)。您可在采芯网下载FM25V10-GTR产品选型手册,FM25V10-GTR产品设计参考手册,FM25V10-GTR用户编程技术手册,FM25V10-GTR开发手册。

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