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更新时间:2023-12-15 00:52:38
首页 > 电子元器件分类 > 主动器件 > 存储芯片 > FM28V020-SGTR
FM28V020-SGTR
引脚图
  • 符合RoHS规范
  • 无铅
  • SOIC-28
    封装:SOIC-28
  • 6周
    原厂交货周期:6周
  • 2011年
    发布时间:2011
  • 参考价格:
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美国 0 6-8 - CNY - - - 93.1023 93.1023 询价

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参数列表
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技术参数
供电电流
12 mA
存取时间
140 ns
存取时间(Max)
70 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2V ~ 3.6V
封装参数
安装方式
Surface Mount
引脚数
28
封装
SOIC-28
外形尺寸
封装
SOIC-28
物理参数
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
其他
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
符合标准
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
Lead Free
FM28V020-SGTR 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图
FM28V020-SGTR 引脚图
FM28V020-SGTR 引脚图
FM28V020-SGTR 封装图
FM28V020-SGTR 封装图
FM28V020-SGTR 封装焊盘图
FM28V020-SGTR 封装焊盘图
产品概述

FM28V 系列 256 Kb (32K x 8) 3.3 V 70 ns 并行 F-RAM 存储器 - SOIC-28

FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 256Kb(32K x 8) 并联 140 ns 28-SOIC


得捷:
IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC


贸泽:
F-RAM 256K (32Kx8) 60ns F-RAM


艾睿:
FRAM 256Kbit Parallel Interface 3.3V 28-Pin SOIC T/R


安富利:
The FM28V020 is a 32 K × 8 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. The FM28V020 operation is similar to that of other RAM devices and therefore, it can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. Read and write cycles may be triggered by or simply by changing the address. The F-RAM memory is nonvolatile due to its unique ferroelectric memory process. These features make the FM28V020 ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes.


富昌:
FM28V 系列 256 Kb (32K x 8) 3.3 V 70 ns 并行 F-RAM 存储器 - SOIC-28


Chip1Stop:
NVRAM FRAM Parallel 256K-Bit 3.3V 28-Pin SOIC T/R


立创商城:
FM28V020-SGTR


TME:
Memory; FRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 256kbit; 2÷3.6VDC; 70ns


Verical:
FRAM 256Kbit Parallel 3.3V 28-Pin SOIC Tape and Reel


Win Source:
IC FRAM 256KBIT 70NS 28SOIC


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FM28V020-SGTR 数据手册Datasheet PDF 11
21 页,358 KB

FM28V020-SGTR 代替型号 更多代替型号

器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
FM28V020-SGTR
FM28V020-SGTR
Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
存储芯片
当前型号
FM28V 系列 256 Kb (32K x 8) 3.3 V 70 ns 并行 F-RAM 存储器 - SOIC-28
当前型号
FM28V020-SG
FM28V020-SG
赛普拉斯
存储芯片
完全替代 主要性能参数、功能特性一致,端子和封装相符;更换不需要修改现有电路
F-RAM,Cypress Semiconductor ### FRAM(铁电 RAM) FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
FM28V020-SGTR和FM28V020-SG区别
FM25V05-G
FM25V05-G
赛普拉斯
存储芯片
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
F-RAM,Cypress Semiconductor ### FRAM(铁电 RAM) FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
FM28V020-SGTR和FM25V05-G区别
FM25V05-GTR
FM25V05-GTR
赛普拉斯
存储芯片
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
512Kb串行SPI,3V,F-RAM存储器
FM28V020-SGTR和FM25V05-GTR区别
更多代替型号

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FM28V020-SGTR品牌厂家:Cypress Semiconductor(赛普拉斯),FM28V020-SGTR渠道分销商:9家,现货库存数量:2000 PCS,FM28V020-SGTR价格参考:¥21.319元。Cypress Semiconductor(赛普拉斯) FM28V020-SGTR参数(FBGA,封装:SOIC-28),新宝网址官网app下载和引脚图及功能表说明书PDF下载(21页,358KB),您可以在FM28V020-SGTR存储芯片规格书Datesheet数据手册中,查到FM28V020-SGTR引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法,FM28V020-SGTR典型电路教程。 FM28V020-SGTR可以用什么代替?代换型号如:FM28V020-SG、FM25V05-G替代换,FM28V020-SGTR系列中文手册中包含FM28V020-SGTR各引脚定义说明介绍及FM28V020-SGTR引脚功能图解,用户中文手册FM28V020-SGTR手册PDF下载(21页,358KB)。您可在采芯网下载FM28V020-SGTR产品选型手册,FM28V020-SGTR产品设计参考手册,FM28V020-SGTR用户编程技术手册,FM28V020-SGTR开发手册。

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