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更新时间:2021-12-14 16:33:37
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技术参数
额定电压(DC)
500 V
额定电流
8.00 A
漏源极电阻
850 mΩ
极性
N-Channel
耗散功率
125W (Tc)
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
8.00 A
上升时间
21.0 ns
输入电容(Ciss)
832pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
125W (Tc)
封装参数
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
外形尺寸
封装
TO-220-3
物理参数
工作温度
150℃ (TJ)
其他
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准
产品概述

N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

N-Channel 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220


得捷:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin (3+Tab) TO-220


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IRF840 数据手册Datasheet PDF 3
8 页,313 KB

IRF840 代替型号 更多代替型号

器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
IRF840
IRF840
ST Microelectronics (意法半导体)
MOS管
当前型号
N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
当前型号
IRF840PBF
IRF840PBF
威世
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
功率MOSFET Power MOSFET
IRF840和IRF840PBF区别
IRF840PBF
IRF840PBF
Vishay Siliconix
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF840和IRF840PBF区别
IRF840
IRF840
威世
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
功率MOSFET Power MOSFET
IRF840和IRF840区别
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IRF840品牌厂家:ST Microelectronics(意法半导体),IRF840渠道分销商:4家,现货库存数量:20 PCS,IRF840价格参考:¥18.302元。ST Microelectronics(意法半导体) IRF840参数(TO-220 N-Channel 500V 8A 850mohms,封装:TO-220-3),高博国际平台网址和说明书PDF下载(8页,313KB),您可以在IRF840MOS管规格书Datesheet数据手册中,查到IRF840使用方法,IRF840典型电路教程。 IRF840可以用什么代替?代换型号如:IRF840PBF、IRF840PBF替代换,IRF840系列中文手册中包含IRF840说明介绍,用户中文手册IRF840手册PDF下载(8页,313KB)。您可在采芯网下载IRF840产品选型手册,IRF840产品设计参考手册,IRF840用户编程技术手册,IRF840开发手册。

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