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技术参数
供电电流
130 mA
位数
16
存取时间
5.0 ns
存取时间(Max)
4.8 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-25 ℃
电源电压
1.7V ~ 1.95V
封装参数
安装方式
Surface Mount
引脚数
60
封装
BGA-60
外形尺寸
封装
BGA-60
物理参数
工作温度
-25℃ ~ 85℃ (TA)
其他
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tray
符合标准
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
无铅
海关信息
ECCN代码
EAR99
产品概述

动态随机存取存储器 腾龙国际在线客服电话彩票 VFBGA-60

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 208MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA


安富利:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2G-Bit 128M x 16 1.8V 60-Pin VFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA


立创商城:
MT46H128M16LFDD 48 WT:C


Verical:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA


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当前型号
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当前型号
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR
镁光
RAM芯片
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
IC SDRAM 4GBIT 200MHz 168WFBGA
腾龙国际在线客服电话彩票和MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR区别
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR
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IC SDRAM 4GBIT 200MHz 168WFBGA
腾龙国际在线客服电话彩票和MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR区别
MT46H128M16LFB7-5 WT:B
MT46H128M16LFB7-5 WT:B
镁光
RAM芯片
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.8V 60Pin VFBGA
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