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首页 > 电子元器件分类 > 双极性晶体管 > BD139 > BD139腾龙娱乐平台会员登入地址比较:BD139和BD139 区别差异

BD139BD139BD13916STU区别

更新时间:2023-12-15 01:07:45
BD139
BD139
意法半导体
VS
BD139
BD139
飞兆/仙童
VS
BD13916STU
BD13916STU
飞兆/仙童
  • 型号
    BD139
    BD139
    BD13916STU
  • 描述
    STMICROELECTRONICS  BD139  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 250 hFE
    BD139 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13916STU  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 100 hFE
    BD13916STU 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
  • 数据手册
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  • 制造商
    ST Microelectronics (意法半导体)
    Fairchild (飞兆/仙童)
    Fairchild (飞兆/仙童)
  • 分类
    双极性晶体管
    -
    双极性晶体管
  • 封装参数

  • 安装方式
    Through Hole
    -
    Through Hole
  • 引脚数
    3
    -
    3
  • 封装
    TO-126-3
    -
    TO-126-3
  • 技术参数

  • 额定电压(DC)
    80.0 V
    -
    80.0 V
  • 额定电流
    1.50 A
    -
    1.50 A
  • 额定功率
    -
    -
    12.5 W
  • 针脚数
    3
    -
    3
  • 极性
    NPN
    -
    NPN
  • 耗散功率
    1.25 W
    -
    1.25 W
  • 击穿电压(集电极-发射极)
    80 V
    -
    80 V
  • 集电极最大允许电流
    -
    -
    1.5A
  • 最小电流放大倍数(hFE)
    40 @150mA, 2V
    -
    100 @150mA, 2V
  • 额定功率(Max)
    1.25 W
    -
    1.25 W
  • 直流电流增益(hFE)
    250
    -
    100
  • 工作温度(Max)
    150 ℃
    -
    150 ℃
  • 工作温度(Min)
    -65 ℃
    -
    -55 ℃
  • 耗散功率(Max)
    1250 mW
    -
    1250 mW
  • 频率
    50 MHz
    -
    -
  • 最大电流放大倍数(hFE)
    250
    -
    -
  • 外形尺寸

  • 长度
    7.8 mm
    -
    8 mm
  • 宽度
    2.7 mm
    -
    3.25 mm
  • 高度
    10.8 mm
    -
    11 mm
  • 封装
    TO-126-3
    -
    TO-126-3
  • 物理参数

  • 材质
    Silicon
    -
    Silicon
  • 工作温度
    150℃ (TJ)
    -
    150℃ (TJ)
  • 其他

  • 产品生命周期
    Active
    Unknown
    Active
  • 包装方式
    Tube
    -
    Rail
  • 符合标准

  • RoHS标准
    RoHS Compliant
    -
    RoHS Compliant
  • 含铅标准
    Lead Free
    -
    Lead Free
  • REACH SVHC标准
    No SVHC
    -
    No SVHC
  • REACH SVHC版本
    -
    -
    2015/06/15
  • 海关信息

  • ECCN代码
    EAR99
    -
    EAR99
  • 参考价格(
    $ 0.181 全部价格 (17家)
    $ 0.079 全部价格 (1家)
    $ 0.236 全部价格 (14家)
  • 总库存量(pcs)
    2k
    100k
    9k
  • 概述

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    STMicroelectronics公司的 BD139是一个通孔安装NPN补偿低压晶体管, TO-126 (SOT-32)封装. 此设备由外延平面技术制造. 用于音频放大器, 驱动器, 使用补偿或准互补电路.

    .
    集电极到发射极电压(Vce): 80V
    .
    集电极电流(Ic): 1.5A
    .
    功耗(Pd): 12.5W
    .
    集电极至发射极饱和电压: 500mV, 0.5A集电极电流
    .
    DC电流增益(hFE): 25, 0.5A集电极电流
    .
    工作结温范围:自150°C

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    The BD13916STU is a 80V NPN Epitaxial Silicon Transistor for medium power linear and switching applications. It is complement to BD140 transistor. This product is general usage and suitable for many different applications.

    .
    80V Collector to base voltage (VCBO)
    .
    5V Emitter to base voltage (VEBO)

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    -
    BD13916STU 更多腾龙娱乐平台会员登入地址

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
BD139-16
BD139-16
意法半导体
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  BD139-16  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE
BD139和BD139-16区别
BD139-10
BD139-10
意法半导体
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  BD139-10  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE
BD139和BD139-10区别
BD139
BD139
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON
BD139和BD139区别
BD1396S
BD1396S
飞兆/仙童
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 Bulk
BD139和BD1396S区别
BD139G
BD139G
安森美
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
BD139和BD139G区别
BD137G
BD137G
安森美
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON SEMICONDUCTOR  BD137G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 65 W, 1.5 A, 40 hFE
BD139和BD137G区别
BD13916STU
BD13916STU
飞兆/仙童
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13916STU  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 100 hFE
BD139和BD13916STU区别
BD13910STU
BD13910STU
飞兆/仙童
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13910STU  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 12.5 W, 1.5 A, 63 hFE
BD139和BD13910STU区别
BD13916S
BD13916S
飞兆/仙童
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13916S  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 100 hFE
BD139和BD13916S区别

BD139和BD139,BD13916STU的区别:BD139 TO-225AA NPN 80V 1.5A 1250mW;BD139 ,BD13916STU TO-126 NPN 80V 1.5A 1250mW。BD139和BD139;BD13916STU哪个好:BD139 STMICROELECTRONICS  BD139  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 250 hFE;BD139 中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications;BD13916STU FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13916STU  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 100 hFE。BD139和BD139,BD13916STU对比:BD139 封装:TO-126-3,引脚:3,频率:50 MHz,功耗:1.25 W,针脚数:3,额定电压:80.0 V,极性:NPN,eccn代码:EAR99,击穿电压:80 V,最小电流放大倍数:40 @150mA, 2V,最大电流放大倍数:250,额定电流:1.50 A,材质:Silicon,工作温度:150℃ (TJ),长度:7.8 mm,宽度:2.7 mm,高度:10.8 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,额定功率:1.25 W,直流电流增益:250,工作温度:150 ℃,工作温度:-65 ℃,耗散功率:1250 mW,晶体管极性:NPN,工业级:Yes;BD139 产品生命周期:Unknown;BD13916STU 封装:TO-126-3,引脚:3,额定功率:12.5 W,功耗:1.25 W,针脚数:3,额定电压:80.0 V,极性:NPN,最小电流放大倍数:100 @150mA, 2V,eccn代码:EAR99,击穿电压:80 V,集电极最大允许电流:1.5A,额定电流:1.50 A,材质:Silicon,工作温度:150℃ (TJ),长度:8 mm,宽度:3.25 mm,高度:11 mm,安装方式:Through Hole,包装:Rail,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,晶体管极性:NPN,额定功率:1.25 W,直流电流增益:100,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:1250 mW,reach svhc版本:2015/06/15。

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