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首页 > 电子元器件分类 > MOS管 > BSS138 > BSS138腾龙娱乐平台会员登入地址比较:BSS138和BSS138LT1G 区别差异

BSS138BSS138LT1GBSS138LT3G区别

更新时间:2023-12-14 21:42:37
BSS138
BSS138
飞兆/仙童
VS
BSS138LT1G
BSS138LT1G
安森美
VS
BSS138LT3G
BSS138LT3G
安森美
  • 型号
    BSS138
    BSS138LT1G
    BSS138LT3G
  • 描述
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V
    BSS138 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V
    BSS138LT1G 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT3G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷
    BSS138LT3G 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
  • 数据手册
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  • 制造商
    Fairchild (飞兆/仙童)
    ON Semiconductor (安森美)
    ON Semiconductor (安森美)
  • 分类
    MOS管
    MOS管
    MOS管
  • 封装参数

  • 安装方式
    Surface Mount
    Surface Mount
    Surface Mount
  • 引脚数
    3
    3
    3
  • 封装
    SOT-23-3
    SOT-23-3
    SOT-23-3
  • 技术参数

  • 额定电压(DC)
    50.0 V
    50.0 V
    50.0 V
  • 额定电流
    220 mA
    200 mA
    200 mA
  • 额定功率
    360 mW
    0.225 W
    -
  • 无卤素状态
    -
    Halogen Free
    Halogen Free
  • 通道数
    1
    1
    1
  • 针脚数
    3
    3
    3
  • 漏源极电阻
    3.5 Ω
    3.5 Ω
    5.6 Ω
  • 极性
    N-Channel
    N-Channel
    N-Channel
  • 耗散功率
    360 mW
    225 mW
    225 mW
  • 阈值电压
    1.3 V
    1.5 V
    500 mV
  • 输入电容
    27.0 pF
    40pF @25V
    50.0 pF
  • 漏源极电压(Vds)
    50 V
    50 V
    50 V
  • 漏源击穿电压
    50 V
    50 V
    50.0 V
  • 栅源击穿电压
    ±20.0 V
    ±20.0 V
    ±20.0 V
  • 连续漏极电流(Ids)
    220 mA
    200 mA
    200 mA
  • 输入电容(Ciss)
    27pF @25V(Vds)
    50pF @25V(Vds)
    50pF @25V(Vds)
  • 额定功率(Max)
    360 mW
    225 mW
    225 mW
  • 工作温度(Max)
    150 ℃
    150 ℃
    150 ℃
  • 工作温度(Min)
    -55 ℃
    -55 ℃
    -55 ℃
  • 耗散功率(Max)
    360 mW
    225 mW
    225 mW
  • 栅电荷
    2.40 nC
    -
    -
  • 上升时间
    9 ns
    -
    -
  • 下降时间
    7 ns
    -
    -
  • 外形尺寸

  • 长度
    2.92 mm
    2.9 mm
    2.9 mm
  • 宽度
    1.3 mm
    1.3 mm
    1.3 mm
  • 高度
    0.93 mm
    0.94 mm
    0.94 mm
  • 封装
    SOT-23-3
    SOT-23-3
    SOT-23-3
  • 物理参数

  • 工作温度
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
  • 其他

  • 产品生命周期
    Active
    Active
    Active
  • 包装方式
    Tape & Reel (TR)
    Tape & Reel (TR)
    Tape & Reel (TR)
  • 符合标准

  • RoHS标准
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
  • 含铅标准
    Lead Free
    Lead Free
    Lead Free
  • REACH SVHC标准
    No SVHC
    No SVHC
    No SVHC
  • REACH SVHC版本
    2015/06/15
    2015/12/17
    2015/12/17
  • 海关信息

  • ECCN代码
    EAR99
    EAR99
    EAR99
  • 香港进出口证
    NLR
    -
    -
  • 参考价格(
    $ 0.994 全部价格 (16家)
    $ 0.083 全部价格 (16家)
    $ 0.044 全部价格 (15家)
  • 总库存量(pcs)
    5.3k
    0
    0
  • 概述

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    Fairchild公司的BSS138为N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管, SOT-23封装. 这一产品设计以最小化通导电阻, 同时提供坚固耐用, 可靠并高速的开关性能, 因此BSS138适合低电压, 低电流应用, 如小型伺服电机控制, 功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用.

    .
    漏极至源极电压(Vds): 50V
    .
    栅-源电压:±20V
    .
    Vgs 10V, 低通导电阻: 3.5ohm
    .
    持续漏电流: 220mA
    .
    最大功率耗散: 360mW
    .
    工作结温范围: -55°C至150°C

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    最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Power MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23 Typical applications are DC−DC converters, power management in portable and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones. Low Threshold Voltage (VGS(th) :0.5 V−1.5 V) Makes it Ideal for Low Voltage Applications •Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 功率MOSFET 200毫安,50 V N沟道SOT-23 典型的应用是DC-DC转换器,电源管理 便携式和电池供电产品,如电脑,打印机, PCMCIA卡,手机和无绳电话。 低阈值电压(VGS(TH) :0.5 V-1.5 V)使得它非常适合 低电压应用 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板间 •无铅包可用

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    N 通道功率 MOSFET,50V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
BSS138LT1G
BSS138LT1G
安森美
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V
BSS138和BSS138LT1G区别
BSS138LT3G
BSS138LT3G
安森美
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT3G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷
BSS138和BSS138LT3G区别
BSS138TA
BSS138TA
美台
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
BSS138TA 编带
BSS138和BSS138TA区别
BSS138N
BSS138N
英飞凌
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
BSS138N N沟道MOSFET 60V 230mA/0.23A SOT-23/SC-59 marking/标记 SK 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护
BSS138和BSS138N区别
BSS138P
BSS138P
恩智浦
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
NXP  BSS138P  晶体管, MOSFET, N沟道, 360 mA, 60 V, 0.9 ohm, 10 V, 1.2 V
BSS138和BSS138P区别
BSN20
BSN20
恩智浦
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
MOS(场效应管)/BSN20
BSS138和BSN20区别
BSS138N-E6327
BSS138N-E6327
英飞凌
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
SOT-23 N-CH 60V 0.23A
BSS138和BSS138N-E6327区别
BSS138_NL
BSS138_NL
飞兆/仙童
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
BSS138和BSS138_NL区别

BSS138和BSS138LT1G,BSS138LT3G的区别:BSS138 SOT-23 N-Channel 50V 220mA 3.5ohms 27pF;BSS138LT1G SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF,BSS138LT3G SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF。BSS138和BSS138LT1G;BSS138LT3G哪个好:BSS138 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V;BSS138LT1G ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V;BSS138LT3G ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT3G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷。BSS138和BSS138LT1G,BSS138LT3G对比:BSS138 封装:SOT-23-3,引脚:3,通道数:1,额定功率:360 mW,功耗:360 mW,针脚数:3,上升时间:9 ns,输入电容:27.0 pF,额定电压:50.0 V,漏源极电阻:3.5 Ω,极性:N-Channel,阈值电压:1.3 V,eccn代码:EAR99,香港进出口证:NLR,漏源极电压:50 V,额定电流:220 mA,栅源击穿电压:±20.0 V,漏源击穿电压:50 V,连续漏极电流:220 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),栅电荷:2.40 nC,长度:2.92 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.93 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:360 mW,reach svhc版本:2015/06/15,晶体管极性:N Channel,输入电容:27pF @25V(Vds),工业级:Yes,额定功率:360 mW,下降时间:7 ns;BSS138LT1G 封装:SOT-23-3,引脚:3,通道数:1,额定功率:0.225 W,功耗:225 mW,针脚数:3,输入电容:40pF @25V,额定电压:50.0 V,漏源极电阻:3.5 Ω,极性:N-Channel,eccn代码:EAR99,阈值电压:1.5 V,漏源极电压:50 V,额定电流:200 mA,漏源击穿电压:50 V,栅源击穿电压:±20.0 V,连续漏极电流:200 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),卤素:Halogen Free,长度:2.9 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.94 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,晶体管极性:N Channel,汽车级:Yes,输入电容:50pF @25V(Vds),工业级:Yes,额定功率:225 mW,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:225 mW,reach svhc版本:2015/12/17;BSS138LT3G 封装:SOT-23-3,引脚:3,通道数:1,功耗:225 mW,针脚数:3,输入电容:50.0 pF,额定电压:50.0 V,漏源极电阻:5.6 Ω,极性:N-Channel,漏源极电压:50 V,eccn代码:EAR99,阈值电压:500 mV,额定电流:200 mA,漏源击穿电压:50.0 V,栅源击穿电压:±20.0 V,连续漏极电流:200 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),卤素:Halogen Free,长度:2.9 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.94 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:225 mW,reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:N Channel,输入电容:50pF @25V(Vds),额定功率:225 mW。

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