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首页 > 电子元器件分类 > MOS管 > 万事博真人娱乐,215 > 万事博真人娱乐,万事博真人娱乐比较:万事博真人娱乐,215和万事博真人娱乐LT1G 区别差异

万事博真人娱乐,215万事博真人娱乐LT1G万事博真人娱乐-7-F区别

更新时间:2023-12-14 18:58:15
万事博真人娱乐,215
万事博真人娱乐,215
恩智浦
VS
万事博真人娱乐LT1G
万事博真人娱乐LT1G
安森美
VS
万事博真人娱乐-7-F
万事博真人娱乐-7-F
美台

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
万事博真人娱乐LT1G
万事博真人娱乐LT1G
安森美
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON SEMICONDUCTOR  万事博真人娱乐LT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 V
万事博真人娱乐,215和万事博真人娱乐LT1G区别
万事博真人娱乐-7-F
万事博真人娱乐-7-F
美台
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
三极管
万事博真人娱乐,215和万事博真人娱乐-7-F区别
万事博真人娱乐
万事博真人娱乐
飞兆/仙童
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  万事博真人娱乐  晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
万事博真人娱乐,215和万事博真人娱乐区别
万事博真人娱乐P H6327
万事博真人娱乐P H6327
英飞凌
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
INFINEON  万事博真人娱乐P H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V
万事博真人娱乐,215和万事博真人娱乐P H6327区别
万事博真人娱乐,215
万事博真人娱乐,215
安世
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
万事博真人娱乐,215 编带
万事博真人娱乐,215和万事博真人娱乐,215区别
万事博真人娱乐LT1
万事博真人娱乐LT1
安森美
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
小信号P沟道SOT23封装场效应管
万事博真人娱乐,215和万事博真人娱乐LT1区别
万事博真人娱乐-7
万事博真人娱乐-7
美台
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏
万事博真人娱乐,215和万事博真人娱乐-7区别
万事博真人娱乐_NL
万事博真人娱乐_NL
飞兆/仙童
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3Pin SOT-23 T/R
万事博真人娱乐,215和万事博真人娱乐_NL区别

万事博真人娱乐,215和万事博真人娱乐LT1G,万事博真人娱乐-7-F的区别:万事博真人娱乐,215 SOT-23 P-Channel -50V -130mA;万事博真人娱乐LT1G SOT-23 P-Channel 50V 130mA 10ohms 30pF,万事博真人娱乐-7-F SOT-23-3 P-Channel 50V 130mA 10Ω 45pF。万事博真人娱乐,215和万事博真人娱乐LT1G;万事博真人娱乐-7-F哪个好:万事博真人娱乐,215 NXP  万事博真人娱乐,215  晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 6 ohm, -10 V, -2 V;万事博真人娱乐LT1G ON SEMICONDUCTOR  万事博真人娱乐LT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 V;万事博真人娱乐-7-F 三极管。万事博真人娱乐,215和万事博真人娱乐LT1G,万事博真人娱乐-7-F对比:万事博真人娱乐,215 封装:SOT-23-3,引脚:3,功耗:250 mW,针脚数:3,漏源极电阻:6 Ω,极性:P-Channel,漏源极电压:50 V,连续漏极电流:-130 mA,工作温度:-65℃ ~ 150℃ (TJ),长度:3 mm,宽度:1.4 mm,高度:1 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Not Recommended for New Designs,工作温度:150 ℃,工作温度:-65 ℃,耗散功率:250 mW,reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:P Channel,工业级:Yes,输入电容:45pF @25V(Vds),额定功率:250 mW;万事博真人娱乐LT1G 封装:SOT-23-3,引脚:3,通道数:1,额定功率:0.225 W,功耗:225 mW,针脚数:3,上升时间:9.7 ns,输入电容:36pF @5V,额定电压:-50.0 V,漏源极电阻:10 Ω,极性:P-Channel,eccn代码:EAR99,阈值电压:2 V,漏源极电压:50 V,额定电流:-130 mA,栅源击穿电压:±20.0 V,漏源击穿电压:50 V,连续漏极电流:130 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),卤素:Halogen Free,长度:2.9 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.94 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Cut Tape (CT),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:225 mW,晶体管极性:P Channel,正向电压:2.2 V,输入电容:30pF @5V(Vds),额定功率:225 mW,下降时间:1.7 ns;万事博真人娱乐-7-F 封装:SOT-23-3,引脚:3,通道数:1,功耗:300 mW,针脚数:3,输入电容:45.0 pF,额定电压:-50.0 V,漏源极电阻:10 Ω,极性:P-Channel,eccn代码:EAR99,阈值电压:0.8 V,漏源极电压:50 V,额定电流:-130 mA,漏源击穿电压:50 V,栅源击穿电压:±20.0 V,连续漏极电流:130 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃,军工:Yes,长度:2.9 mm,宽度:1.3 mm,高度:1 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,输入电容:45pF @25V(Vds),额定功率:300 mW,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:300 mW,晶体管极性:P Channel,航空级:Yes。

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