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首页 > 电子元器件分类 > 双极性晶体管 > D45H11 > D45H11腾龙娱乐平台会员登入地址比较:D45H11和D45H11G 区别差异

D45H11D45H11GD45H11区别

更新时间:2023-12-14 21:39:59
D45H11
D45H11
安森美
VS
D45H11G
D45H11G
安森美
VS
D45H11
D45H11
意法半导体
  • 型号
    D45H11
    D45H11G
    D45H11
  • 描述
    互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
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    PNP 功率晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
    D45H11G 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    STMICROELECTRONICS  D45H11  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 W, -10 A, 120 hFE
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  • 数据手册
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  • 制造商
    ON Semiconductor (安森美)
    ON Semiconductor (安森美)
    ST Microelectronics (意法半导体)
  • 分类
    双极性晶体管
    双极性晶体管
    双极性晶体管
  • 封装参数

  • 安装方式
    Through Hole
    Through Hole
    Through Hole
  • 引脚数
    3
    3
    3
  • 封装
    TO-220-3
    TO-220-3
    TO-220-3
  • 技术参数

  • 额定电压(DC)
    -80.0 V
    -80.0 V
    -80.0 V
  • 额定电流
    -10.0 A
    -10.0 A
    -10.0 A
  • 针脚数
    3
    -
    3
  • 极性
    PNP
    PNP, P-Channel
    PNP, P-Channel
  • 耗散功率
    60 W
    2000 mW
    50 W
  • 击穿电压(集电极-发射极)
    80 V
    -80.0 V
    80 V
  • 最小电流放大倍数(hFE)
    40 @4A, 1V
    -
    40 @4A, 1V
  • 额定功率(Max)
    2 W
    -
    50 W
  • 直流电流增益(hFE)
    60
    -
    120
  • 工作温度(Max)
    150 ℃
    -
    150 ℃
  • 工作温度(Min)
    -55 ℃
    -
    -65 ℃
  • 耗散功率(Max)
    2000 mW
    -
    50000 mW
  • 集电极最大允许电流
    10A
    10A
    -
  • 外形尺寸

  • 长度
    -
    -
    10.4 mm
  • 宽度
    -
    -
    4.6 mm
  • 高度
    9.28 mm
    -
    9.15 mm
  • 封装
    TO-220-3
    TO-220-3
    TO-220-3
  • 物理参数

  • 材质
    Silicon
    -
    Silicon
  • 工作温度
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    -
    150℃ (TJ)
  • 其他

  • 产品生命周期
    Unknown
    Active
    Active
  • 包装方式
    Tube
    Tube
    Tube
  • 最小包装
    50
    -
    -
  • 符合标准

  • RoHS标准
    Compliant
    RoHS Compliant
  • 含铅标准
    Contains Lead
    Lead Free
    Lead Free
  • REACH SVHC标准
    -
    No SVHC
    No SVHC
  • REACH SVHC版本
    -
    -
    2015/12/17
  • 海关信息

  • ECCN代码
    EAR99
    EAR99
    EAR99
  • 香港进出口证
    -
    -
    NLR
  • 参考价格(
    $ 0.470 全部价格 (6家)
    $ 0.664 全部价格 (16家)
    $ 0.465 全部价格 (14家)
  • 总库存量(pcs)
    0
    500
    1.4k
  • 概述

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    Complementary SiliconPower Transistors   These series of plastic, silicon NPN and PNP power transistors can be used as general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. Features • Low Collector−Emitter Saturation Voltage         VCE(sat)= 1.0 V (Max) @ 8.0 A • Fast Switching Speeds • Complementary Pairs Simplifies Designs • Pb−Free Packages are Available*

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    PNP 功率晶体管ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

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    PNP 功率晶体管,STMicroelectronics

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
MJD45H11T4G
MJD45H11T4G
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
PNP 功率晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
D45H11和MJD45H11T4G区别
D45H11G
D45H11G
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
PNP 功率晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
D45H11和D45H11G区别
MJD45H11G
MJD45H11G
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11G  单晶体管 双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
D45H11和MJD45H11G区别
MJD45H11RLG
MJD45H11RLG
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11RLG  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 90 MHz, 20 W, -8 A, 40 hFE
D45H11和MJD45H11RLG区别
D45H11
D45H11
意法半导体
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
STMICROELECTRONICS  D45H11  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 W, -10 A, 120 hFE
D45H11和D45H11区别
MJD45H11T4
MJD45H11T4
意法半导体
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
STMICROELECTRONICS  MJD45H11T4  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 20 W, -8 A, 40 hFE
D45H11和MJD45H11T4区别
MJD45H11TF
MJD45H11TF
安森美
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON Semiconductor MJD45H11TF , PNP 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 1 MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
D45H11和MJD45H11TF区别
D45H1
D45H1
博卡半导体
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
Complementary Silicon Power Transistors
D45H11和D45H1区别
D45H1
D45H1
Mospec
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
POWER TRANSISTORS(10A,30-80V,50W)
D45H11和D45H1区别
MJD45H11
MJD45H11
Taitron
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
Power Bipolar Transistor,
D45H11和MJD45H11区别

D45H11和D45H11G,D45H11的区别:D45H11 TO-220-3 PNP -80V -10A;D45H11G TO-220-3 PNP -80V -10A 2000mW,D45H11 TO-220 PNP -80V -10A 50000mW。D45H11和D45H11G;D45H11哪个好:D45H11 互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors;D45H11G PNP 功率晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管;D45H11 STMICROELECTRONICS  D45H11  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 W, -10 A, 120 hFE。D45H11和D45H11G,D45H11对比:D45H11 封装:TO-220-3,引脚:3,功耗:60 W,针脚数:3,额定电压:-80.0 V,极性:PNP,击穿电压:80 V,集电极最大允许电流:10A,最小包装:50,最小电流放大倍数:40 @4A, 1V,eccn代码:EAR99,额定电流:-10.0 A,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),材质:Silicon,高度:9.28 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,含铅标准:Contains Lead,rohs:Compliant with Exemption,产品生命周期:Unknown,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:2000 mW,晶体管极性:PNP,工业级:Yes,额定功率:2 W,直流电流增益:60;D45H11G 封装:TO-220-3,引脚:3,功耗:2000 mW,额定电压:-80.0 V,极性:PNP, P-Channel,集电极最大允许电流:10A,eccn代码:EAR99,击穿电压:-80.0 V,额定电流:-10.0 A,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:Compliant,产品生命周期:Active,汽车级:Yes,工业级:Yes;D45H11 封装:TO-220-3,引脚:3,功耗:50 W,针脚数:3,额定电压:-80.0 V,极性:PNP, P-Channel,eccn代码:EAR99,香港进出口证:NLR,击穿电压:80 V,最小电流放大倍数:40 @4A, 1V,额定电流:-10.0 A,材质:Silicon,工作温度:150℃ (TJ),长度:10.4 mm,宽度:4.6 mm,高度:9.15 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,晶体管极性:PNP,工业级:Yes,额定功率:50 W,直流电流增益:120,工作温度:150 ℃,工作温度:-65 ℃,耗散功率:50000 mW,reach svhc版本:2015/12/17。

型号对应页索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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