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首页 > 电子元器件分类 > MOS管 > IRF3205ZPBF > IRF3205ZPBF腾龙娱乐平台会员登入地址比较:IRF3205ZPBF和STP80NF55L-06 区别差异

IRF3205ZPBFSTP80NF55L-06STP80NF55-06FP区别

更新时间:2023-12-15 00:54:17
IRF3205ZPBF
IRF3205ZPBF
英飞凌
VS
STP80NF55L-06
STP80NF55L-06
意法半导体
VS
STP80NF55-06FP
STP80NF55-06FP
意法半导体
  • 型号
    IRF3205ZPBF
    STP80NF55L-06
    STP80NF55-06FP
  • 描述
    INFINEON  IRF3205ZPBF  晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V
    IRF3205ZPBF 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    STMICROELECTRONICS  STP80NF55L-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
    STP80NF55L-06 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
    STP80NF55-06FP 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
  • 数据手册
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  • 制造商
    Infineon (英飞凌)
    ST Microelectronics (意法半导体)
    ST Microelectronics (意法半导体)
  • 分类
    MOS管
    MOS管
    MOS管
  • 封装参数

  • 安装方式
    Through Hole
    Through Hole
    Through Hole
  • 引脚数
    3
    3
    3
  • 封装
    TO-220-3
    TO-220-3
    TO-220-3
  • 技术参数

  • 额定功率
    170 W
    -
    -
  • 针脚数
    3
    3
    3
  • 漏源极电阻
    0.0065 Ω
    0.008 Ω
    0.005 Ω
  • 极性
    N-Channel
    N-Channel
    N-Channel
  • 耗散功率
    170 W
    300 W
    45 W
  • 阈值电压
    4 V
    3 V
    3 V
  • 输入电容
    3450 pF
    -
    -
  • 漏源极电压(Vds)
    55 V
    55 V
    55 V
  • 漏源击穿电压
    55 V
    55.0 V
    -
  • 连续漏极电流(Ids)
    110A
    80.0 A
    60.0 A
  • 上升时间
    95 ns
    180 ns
    155 ns
  • 输入电容(Ciss)
    3450pF @25V(Vds)
    4850pF @25V(Vds)
    4400pF @25V(Vds)
  • 额定功率(Max)
    170 W
    300 W
    45 W
  • 下降时间
    67 ns
    80 ns
    65 ns
  • 工作温度(Max)
    175 ℃
    175 ℃
    175 ℃
  • 工作温度(Min)
    -55 ℃
    -55 ℃
    -55 ℃
  • 耗散功率(Max)
    170000 mW
    300W (Tc)
    45W (Tc)
  • 额定电压(DC)
    -
    55.0 V
    -
  • 额定电流
    -
    80.0 A
    -
  • 栅源击穿电压
    -
    ±16.0 V
    -
  • 外形尺寸

  • 长度
    10.54 mm
    10.4 mm
    10.4 mm
  • 宽度
    4.69 mm
    4.6 mm
    4.6 mm
  • 高度
    8.77 mm
    15.75 mm
    9.3 mm
  • 封装
    TO-220-3
    TO-220-3
    TO-220-3
  • 物理参数

  • 材质
    Silicon
    -
    -
  • 工作温度
    -55℃ ~ 175℃ (TJ)
    -55℃ ~ 175℃ (TJ)
    -55℃ ~ 175℃
  • 其他

  • 产品生命周期
    Active
    Active
    Active
  • 包装方式
    Tube
    Tube
    Tube
  • 符合标准

  • RoHS标准
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
  • 含铅标准
    Lead Free
    Lead Free
    Lead Free
  • REACH SVHC版本
    2015/12/17
    2015/12/17
    2015/12/17
  • REACH SVHC标准
    -
    No SVHC
    No SVHC
  • 海关信息

  • ECCN代码
    -
    -
    EAR99
  • 参考价格(
    $ 0.391 全部价格 (15家)
    $ 2.713 全部价格 (13家)
    $ 0.380 全部价格 (13家)
  • 总库存量(pcs)
    1.3k
    0
    154.5k
  • 概述

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    电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,Infineon ### 电动机控制 MOSFET Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET 同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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    N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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    N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
IRF3205PBF
IRF3205PBF
英飞凌
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
IRF3205ZPBF和IRF3205PBF区别
IRFB3306PBF
IRFB3306PBF
英飞凌
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
INFINEON  IRFB3306PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 60 V, 4.2 mohm, 10 V, 4 V
IRF3205ZPBF和IRFB3306PBF区别
AUIRF3205Z
AUIRF3205Z
英飞凌
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
N 通道功率 MOSFET,Infineon Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
IRF3205ZPBF和AUIRF3205Z区别
AUIRF3205
AUIRF3205
英飞凌
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
INFINEON  AUIRF3205  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V
IRF3205ZPBF和AUIRF3205区别
IRF3205Z
IRF3205Z
英飞凌
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
TO-220AB N-CH 55V 110A
IRF3205ZPBF和IRF3205Z区别
STP80NF55-06
STP80NF55-06
意法半导体
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
IRF3205ZPBF和STP80NF55-06区别
STP80NF55L-06
STP80NF55L-06
意法半导体
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
STMICROELECTRONICS  STP80NF55L-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
IRF3205ZPBF和STP80NF55L-06区别
STP80NF55-06FP
STP80NF55-06FP
意法半导体
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
IRF3205ZPBF和STP80NF55-06FP区别
IRF3205
IRF3205
英飞凌
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
TO-220AB N-CH 55V 110A
IRF3205ZPBF和IRF3205区别
HUF75339P3
HUF75339P3
Harris
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IRF3205ZPBF和HUF75339P3区别

IRF3205ZPBF和STP80NF55L-06,STP80NF55-06FP的区别:IRF3205ZPBF REEL N-Channel 55V 110A;STP80NF55L-06 TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ,STP80NF55-06FP TO-220FP N-Channel 60A。IRF3205ZPBF和STP80NF55L-06;STP80NF55-06FP哪个好:IRF3205ZPBF INFINEON  IRF3205ZPBF  晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V;STP80NF55L-06 STMICROELECTRONICS  STP80NF55L-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V;STP80NF55-06FP STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V。IRF3205ZPBF和STP80NF55L-06,STP80NF55-06FP对比:IRF3205ZPBF 封装:TO-220-3,引脚:3,额定功率:170 W,功耗:170 W,针脚数:3,输入电容:3450 pF,上升时间:95 ns,漏源极电阻:0.0065 Ω,极性:N-Channel,阈值电压:4 V,漏源极电压:55 V,漏源击穿电压:55 V,连续漏极电流:110A,工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),材质:Silicon,长度:10.54 mm,宽度:4.69 mm,高度:8.77 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,输入电容:3450pF @25V(Vds),汽车级:Yes,额定功率:170 W,下降时间:67 ns,工作温度:175 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:170000 mW,reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:N Channel;STP80NF55L-06 封装:TO-220-3,引脚:3,功耗:300 W,针脚数:3,上升时间:180 ns,额定电压:55.0 V,漏源极电阻:0.008 Ω,极性:N-Channel,阈值电压:3 V,漏源极电压:55 V,额定电流:80.0 A,漏源击穿电压:55.0 V,栅源击穿电压:±16.0 V,连续漏极电流:80.0 A,工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),长度:10.4 mm,宽度:4.6 mm,高度:15.75 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,额定功率:300 W,工业级:Yes,下降时间:80 ns,工作温度:175 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:300W (Tc),reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:N Channel,输入电容:4850pF @25V(Vds),汽车级:Yes;STP80NF55-06FP 封装:TO-220-3,引脚:3,功耗:45 W,针脚数:3,上升时间:155 ns,漏源极电阻:0.005 Ω,极性:N-Channel,阈值电压:3 V,漏源极电压:55 V,eccn代码:EAR99,连续漏极电流:60.0 A,工作温度:-55℃ ~ 175℃,长度:10.4 mm,宽度:4.6 mm,高度:9.3 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,下降时间:65 ns,工作温度:175 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:45W (Tc),reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:N Channel,输入电容:4400pF @25V(Vds),工业级:Yes,额定功率:45 W。

型号对应页索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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