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首页 > 电子元器件分类 > MOS管 > IRF530NPBF > IRF530NPBF腾龙娱乐平台会员登入地址比较:IRF530NPBF和IRF540NPBF 区别差异

IRF530NPBFIRF540NPBFIRF530N,127区别

更新时间:2023-12-15 00:55:54
IRF530NPBF
IRF530NPBF
英飞凌
VS
IRF540NPBF
IRF540NPBF
英飞凌
VS
IRF530N,127
IRF530N,127
恩智浦
  • 型号
    IRF530NPBF
    IRF540NPBF
    IRF530N,127
  • 描述
    N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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    INFINEON  IRF540NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 V
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    Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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  • 数据手册
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  • 制造商
    Infineon (英飞凌)
    Infineon (英飞凌)
    NXP (恩智浦)
  • 分类
    MOS管
    MOS管
    MOS管
  • 封装参数

  • 安装方式
    Through Hole
    Through Hole
    Through Hole
  • 封装
    TO-220-3
    TO-220-3
    TO-220-3
  • 引脚数
    3
    3
    -
  • 技术参数

  • 耗散功率
    63 W
    130 W
    79W (Tc)
  • 漏源极电压(Vds)
    100 V
    100 V
    100 V
  • 上升时间
    22 ns
    35 ns
    36 ns
  • 输入电容(Ciss)
    920pF @25V(Vds)
    1960pF @25V(Vds)
    633pF @25V(Vds)
  • 下降时间
    25 ns
    35 ns
    12 ns
  • 耗散功率(Max)
    70W (Tc)
    130000 mW
    79W (Tc)
  • 额定功率
    79 W
    140 W
    -
  • 针脚数
    3
    3
    -
  • 漏源极电阻
    0.09 Ω
    0.044 Ω
    -
  • 极性
    N-CH
    N-CH
    -
  • 阈值电压
    4 V
    4 V
    -
  • 输入电容
    920 pF
    1960 pF
    -
  • 漏源击穿电压
    100 V
    -
    -
  • 连续漏极电流(Ids)
    17A
    33A
    -
  • 额定功率(Max)
    70 W
    130 W
    -
  • 工作温度(Max)
    175 ℃
    175 ℃
    -
  • 工作温度(Min)
    -55 ℃
    -55 ℃
    -
  • 外形尺寸

  • 封装
    TO-220-3
    TO-220-3
    TO-220-3
  • 长度
    10.54 mm
    10.54 mm
    -
  • 宽度
    4.69 mm
    4.69 mm
    -
  • 高度
    8.77 mm
    8.77 mm
    -
  • 物理参数

  • 工作温度
    -55℃ ~ 175℃ (TJ)
    -55℃ ~ 175℃ (TJ)
    -55℃ ~ 175℃ (TJ)
  • 材质
    -
    Silicon
    -
  • 其他

  • 产品生命周期
    Active
    Active
    Obsolete
  • 包装方式
    Tube
    Tube
    Tube
  • 符合标准

  • RoHS标准
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
  • 含铅标准
    Lead Free
    Lead Free
    Lead Free
  • REACH SVHC版本
    2015/12/17
    -
    -
  • 参考价格(
    $ 0.164 全部价格 (17家)
    $ 0.162 全部价格 (16家)
    - 全部价格 (2家)
  • 总库存量(pcs)
    5.1k
    28.1k
    0
  • 概述

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    N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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    International Rectifier公司的 IRF540NPBF为100V单路N通道HEXFET功率MOSFET, TO-220AB封装. 此MOSFET具有极低的每硅片区面积电阻, 动态的dv / dt评级, 坚固耐用的快速切换以及全额定雪崩, 著名的功率MOSFET提供极高的效率和稳定性, 用于多种应用程序.

    .
    漏极至源极电压: 100V
    .
    栅-源电压:±20V
    .
    10V通导电阻Rds(on): 44m欧
    .
    25°C功率耗散Pd: 130W
    .
    Vgs 10V和25°C持续漏电流Id: 33A
    .
    工作结温范围: -55°C至175°C

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    N-Channel 100V 17A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
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对比
IRF540NPBF
IRF540NPBF
英飞凌
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
INFINEON  IRF540NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 V
IRF530NPBF和IRF540NPBF区别

E世博怎么进不去了,127的区别:IRF530NPBF REEL N-CH 100V 17A;IRF540NPBF REEL N-CH 100V 33A,IRF530N,127 TO-220AB-3。IRF530NPBF和IRF540NPBF;IRF530N,127哪个好:IRF530NPBF N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。;IRF540NPBF INFINEON  IRF540NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 V;IRF530N,127 Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube。E世博怎么进不去了,127对比:IRF530NPBF 封装:TO-220-3,引脚:3,额定功率:79 W,功耗:63 W,针脚数:3,输入电容:920 pF,上升时间:22 ns,漏源极电阻:0.09 Ω,极性:N-CH,阈值电压:4 V,漏源极电压:100 V,漏源击穿电压:100 V,连续漏极电流:17A,工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),长度:10.54 mm,宽度:4.69 mm,高度:8.77 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,下降时间:25 ns,工作温度:175 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:70W (Tc),reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:N Channel,输入电容:920pF @25V(Vds),工业级:Yes,额定功率:70 W;IRF540NPBF 封装:TO-220-3,引脚:3,额定功率:140 W,功耗:130 W,针脚数:3,输入电容:1960 pF,上升时间:35 ns,漏源极电阻:0.044 Ω,极性:N-CH,阈值电压:4 V,漏源极电压:100 V,连续漏极电流:33A,工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),材质:Silicon,长度:10.54 mm,宽度:4.69 mm,高度:8.77 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:175 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:130000 mW,晶体管极性:N Channel,工业级:Yes,输入电容:1960pF @25V(Vds),额定功率:130 W,下降时间:35 ns;IRF530N,127 封装:TO-220-3,功耗:79W (Tc),上升时间:36 ns,漏源极电压:100 V,工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),安装方式:Through Hole,包装:Tube,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Obsolete,输入电容:633pF @25V(Vds),下降时间:12 ns,耗散功率:79W (Tc)。

型号对应页索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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