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首页 > 电子元器件分类 > 电源管理 > L6562DTR > L6562DTR腾龙娱乐平台会员登入地址比较:L6562DTR和MC34262DG 区别差异

L6562DTRMC34262DGL6562D区别

更新时间:2023-12-15 00:53:22
L6562DTR
L6562DTR
意法半导体
VS
MC34262DG
MC34262DG
安森美
VS
L6562D
L6562D
意法半导体
  • 型号
    L6562DTR
    MC34262DG
    L6562D
  • 描述
    PFC控制器
    ON SEMICONDUCTOR  MC34262DG  芯片, PF控制器, SMD
    STMICROELECTRONICS  L6562D  芯片, 功率因子校正器
  • 数据手册
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  • 制造商
    ST Microelectronics (意法半导体)
    ON Semiconductor (安森美)
    ST Microelectronics (意法半导体)
  • 分类
    电源管理
    电源管理
    电源管理
  • 封装参数

  • 安装方式
    Surface Mount
    Surface Mount
    Surface Mount
  • 引脚数
    8
    8
    8
  • 封装
    SOIC-8
    SOIC-8
    SOIC-8
  • 技术参数

  • 频率
    -
    50 kHz
    70 kHz
  • 电源电压(DC)
    22.0V (max)
    12.0V (min)
    22.0V (max)
  • 工作电压
    -
    -
    10.3V ~ 22V
  • 额定功率
    -
    -
    650 mW
  • 输出电流
    -
    10.0 µA
    800 mA
  • 针脚数
    8
    8
    8
  • 输入电流
    -
    -
    2.50 mA
  • 耗散功率
    -
    450 mW
    650 mW
  • 开关频率
    1 MHz
    -
    1 MHz
  • 工作温度(Max)
    150 ℃
    85 ℃
    150 ℃
  • 工作温度(Min)
    -40 ℃
    0 ℃
    -40 ℃
  • 电源电压
    10.3V ~ 22V
    12V ~ 28V
    10.3V ~ 22V
  • 电源电压(Max)
    22 V
    28 V
    22 V
  • 电源电压(Min)
    10.3 V
    12 V
    10.3 V
  • 输出接口数
    1
    1
    -
  • 无卤素状态
    -
    Halogen Free
    -
  • 输出电压
    -
    16 V
    -
  • 拓扑结构
    -
    Boost
    -
  • 输入电压(Max)
    -
    10 V
    -
  • 输出电压(Max)
    -
    18 V
    -
  • 输出电流(Max)
    -
    500 mA
    -
  • 外形尺寸

  • 长度
    5 mm
    5 mm
    5 mm
  • 宽度
    4 mm
    4 mm
    4 mm
  • 高度
    1.25 mm
    1.5 mm
    1.25 mm
  • 封装
    SOIC-8
    SOIC-8
    SOIC-8
  • 物理参数

  • 工作温度
    -25℃ ~ 125℃
    0℃ ~ 85℃
    -25℃ ~ 125℃
  • 其他

  • 产品生命周期
    Not Recommended for New Designs
    Active
    Active
  • 包装方式
    Tape & Reel (TR)
    Tube
    Tube
  • 符合标准

  • RoHS标准
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
  • 含铅标准
    Lead Free
    Lead Free
    Lead Free
  • REACH SVHC标准
    -
    No SVHC
    No SVHC
  • REACH SVHC版本
    -
    2015/12/17
    2015/12/17
  • 海关信息

  • ECCN代码
    EAR99
    EAR99
    EAR99
  • 香港进出口证
    NLR
    -
    -
  • 参考价格(
    $ 0.246 全部价格 (17家)
    $ 0.370 全部价格 (13家)
    $ 0.756 全部价格 (15家)
  • 总库存量(pcs)
    1.3k
    1.7k
    0
  • 概述

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    功率因数矫正 (PFC),STMicroelectronics 功率因数校正 (PFC) 控制器可在转换模式 (TM) 和连续电流模式 (CCM) 中操作,用于宽范围电源操作。 PFC 控制器嵌入高级保护功能,使 SMPS 更坚固且更紧凑,需要的外部元件更少。

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    功率因数控制器 (PFC),ON Semiconductor 功率因数控制器带可变 CRM、CCM 和 DCM,可进行功率因数校正。

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    功率因数矫正 (PFC),STMicroelectronics 功率因数校正 (PFC) 控制器可在转换模式 (TM) 和连续电流模式 (CCM) 中操作,用于宽范围电源操作。 PFC 控制器嵌入高级保护功能,使 SMPS 更坚固且更紧凑,需要的外部元件更少。 ### 交流/直流转换器,STMicroelectronics

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
L6562D
L6562D
意法半导体
电源管理
完全替代 主要性能参数、功能特性一致,端子和封装相符;更换不需要修改现有电路
STMICROELECTRONICS  L6562D  芯片, 功率因子校正器
L6562DTR和L6562D区别
L6561D013TR
L6561D013TR
意法半导体
电源管理
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
L65系列 18 V 400 mA SOP8 极低工作电流 标准 功率因数校正器
L6562DTR和L6561D013TR区别
L6562AD
L6562AD
意法半导体
电源管理
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  L6562AD  芯片, PFC控制器, -0.6/0.8A, 1%, 8SOIC
L6562DTR和L6562AD区别
L6561D
L6561D
意法半导体
稳压芯片
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  L6561D  直流/直流开关稳压器, 可调, 18V输入, 400mA输出, SOIC-8
L6562DTR和L6561D区别
E-L6561D
E-L6561D
意法半导体
DC/DC转换器
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
功率因数校正 - PFC Wide Input Voltage
L6562DTR和E-L6561D区别
L6560AD
L6560AD
意法半导体
DC/DC转换器
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
功率因数校正 POWER FACTOR CORRECTOR
L6562DTR和L6560AD区别
MC33262DR2G
MC33262DR2G
安森美
电源管理
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON SEMICONDUCTOR  MC33262DR2G  PFC CONTROLLER, 12-28V, SOIC-8 新
L6562DTR和MC33262DR2G区别
MC34262DR2G
MC34262DR2G
安森美
电源管理
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON SEMICONDUCTOR  MC34262DR2G  芯片, PFC 控制器, 50KHZ, 30V, SOIC-8
L6562DTR和MC34262DR2G区别
FAN7527BMX
FAN7527BMX
飞兆/仙童
电源管理
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
FAN7527B 系列 功率因数校正 控制器 - DIP-8
L6562DTR和FAN7527BMX区别
E-L6561D013TR
E-L6561D013TR
意法半导体
FET驱动器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
Power Factor Correction CONTRLR 0.05mA 8Pin SO N T/R
L6562DTR和E-L6561D013TR区别

L6562DTR和MC34262DG,L6562D的区别:L6562DTR ;MC34262DG ,L6562D。L6562DTR和MC34262DG;L6562D哪个好:L6562DTR PFC控制器;MC34262DG ON SEMICONDUCTOR  MC34262DG  芯片, PF控制器, SMD;L6562D STMICROELECTRONICS  L6562D  芯片, 功率因子校正器。L6562DTR和MC34262DG,L6562D对比:L6562DTR 封装:SOIC-8,引脚:8,针脚数:8,开关频率:1 MHz,eccn代码:EAR99,电源电压:22.0V (max),香港进出口证:NLR,输出接口数:1,工作温度:-25℃ ~ 125℃,长度:5 mm,宽度:4 mm,高度:1.25 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Not Recommended for New Designs,工作温度:-40 ℃,电源电压:10.3V ~ 22V,电源电压:22 V,电源电压:10.3 V,工作温度:150 ℃;MC34262DG 封装:SOIC-8,引脚:8,频率:50 kHz,功耗:450 mW,针脚数:8,输出电压:16 V,电源电压:12.0V (min),eccn代码:EAR99,输出电流:10.0 µA,输出接口数:1,工作温度:0℃ ~ 85℃,拓扑结构:Boost,卤素:Halogen Free,长度:5 mm,宽度:4 mm,高度:1.5 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:85 ℃,工作温度:0 ℃,reach svhc版本:2015/12/17,电源电压:12V ~ 28V,电源电压:28 V,输入电压:10 V,电源电压:12 V,输出电压:18 V,输出电流:500 mA;L6562D 封装:SOIC-8,引脚:8,频率:70 kHz,额定功率:650 mW,功耗:650 mW,针脚数:8,工作电压:10.3V ~ 22V,eccn代码:EAR99,电源电压:22.0V (max),开关频率:1 MHz,输入电流:2.50 mA,输出电流:800 mA,工作温度:-25℃ ~ 125℃,长度:5 mm,宽度:4 mm,高度:1.25 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:150 ℃,工作温度:-40 ℃,reach svhc版本:2015/12/17,电源电压:10.3V ~ 22V,电源电压:22 V,电源电压:10.3 V。

型号对应页索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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