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首页 > 电子元器件分类 > 运算放大器 > LM258DT > LM258DT腾龙娱乐平台会员登入地址比较:LM258DT和LM358DT 区别差异

LM258DTLM358DTLM258D区别

更新时间:2023-12-15 00:54:53
LM258DT
LM258DT
意法半导体
VS
LM358DT
LM358DT
意法半导体
VS
LM258D
LM258D
意法半导体
  • 型号
    LM258DT
    LM358DT
    LM258D
  • 描述
    LM158,LM258,LM358,低功率双路运算放大器,具有低输入偏置电流 LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下,输入共模电压范围包含接地,且输出电压还可摆幅至接地。 设计用于通过单电源工作 大直流电压增益:100 dB 宽带宽(单位增益):1.1 MHz ### 运算放大器,STMicroelectronics
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    STMICROELECTRONICS  LM358DT  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚
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    STMICROELECTRONICS  LM258D  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚
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  • 数据手册
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  • 制造商
    ST Microelectronics (意法半导体)
    ST Microelectronics (意法半导体)
    ST Microelectronics (意法半导体)
  • 分类
    运算放大器
    运算放大器
    运算放大器
  • 封装参数

  • 安装方式
    Surface Mount
    Surface Mount
    Surface Mount
  • 引脚数
    8
    8
    8
  • 封装
    SOIC-8
    SOIC-8
    SOIC-8
  • 技术参数

  • 电源电压(DC)
    32.0 V
    32.0 V
    32.0 V
  • 输出电流
    60 mA
    60 mA
    40 mA
  • 供电电流
    700 µA
    700 µA
    700 µA
  • 电路数
    2
    2
    2
  • 通道数
    2
    2
    2
  • 针脚数
    8
    8
    8
  • 共模抑制比
    85 dB
    85 dB
    70 dB
  • 带宽
    1.1 MHz
    1.1 MHz
    1.1 MHz
  • 转换速率
    600 mV/μs
    600 mV/μs
    600 mV/μs
  • 增益频宽积
    1.1 MHz
    1.1 MHz
    1.1 MHz
  • 输入补偿电压
    1 mV
    2 mV
    1 mV
  • 输入偏置电流
    20 nA
    20 nA
    20 nA
  • 工作温度(Max)
    105 ℃
    70 ℃
    105 ℃
  • 工作温度(Min)
    -40 ℃
    0 ℃
    -40 ℃
  • 增益带宽
    1.1 MHz
    1.1 MHz
    1.1 MHz
  • 共模抑制比(Min)
    70 dB
    70 dB
    70 dB
  • 电源电压
    3V ~ 30V
    3V ~ 30V
    3V ~ 30V
  • 耗散功率
    -
    -
    500 mW
  • 电源电压(Max)
    -
    -
    30 V
  • 电源电压(Min)
    -
    -
    3 V
  • 外形尺寸

  • 长度
    4.9 mm
    4.9 mm
    4.9 mm
  • 宽度
    3.9 mm
    3.9 mm
    4 mm
  • 高度
    1.65 mm
    1.65 mm
    1.25 mm
  • 封装
    SOIC-8
    SOIC-8
    SOIC-8
  • 物理参数

  • 工作温度
    -40℃ ~ 105℃
    0℃ ~ 70℃
    -40℃ ~ 105℃
  • 其他

  • 产品生命周期
    Active
    Active
    Active
  • 包装方式
    Tape & Reel (TR)
    Tape & Reel (TR)
    Tube
  • 符合标准

  • RoHS标准
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
  • 含铅标准
    Lead Free
    Lead Free
    Lead Free
  • REACH SVHC标准
    No SVHC
    No SVHC
    No SVHC
  • REACH SVHC版本
    2015/12/17
    -
    2015/12/17
  • 海关信息

  • ECCN代码
    EAR99
    EAR99
    EAR99
  • 香港进出口证
    -
    NLR
    -
  • 参考价格(
    $ 0.088 全部价格 (17家)
    $ 0.050 全部价格 (17家)
    $ 0.406 全部价格 (13家)
  • 总库存量(pcs)
    4.5k
    1689k
    80
  • 概述

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    LM158,LM258,LM358,低功率双路运算放大器,具有低输入偏置电流 LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下,输入共模电压范围包含接地,且输出电压还可摆幅至接地。 设计用于通过单电源工作 大直流电压增益:100 dB 宽带宽(单位增益):1.1 MHz

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
LM358DT
LM358DT
意法半导体
运算放大器
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  LM358DT  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚
LM258DT和LM358DT区别
LM158DT
LM158DT
意法半导体
运算放大器
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  LM158DT  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚
LM258DT和LM158DT区别
LM258D
LM258D
意法半导体
运算放大器
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  LM258D  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚
LM258DT和LM258D区别
LM258DR
LM258DR
德州仪器
运算放大器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
TEXAS INSTRUMENTS  LM258DR.  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
LM258DT和LM258DR区别
LM258DT
LM258DT
意法半导体
运算放大器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
LM158,LM258,LM358,低功率双路运算放大器,具有低输入偏置电流 LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下,输入共模电压范围包含接地,且输出电压还可摆幅至接地。 设计用于通过单电源工作 大直流电压增益:100 dB 宽带宽(单位增益):1.1 MHz ### 运算放大器,STMicroelectronics
LM258DT和LM258DT区别
LM258DR2G
LM258DR2G
安森美
运算放大器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
LM 系列 0.6 V/us 32 V 表面贴装 单电源 四通道 运算放大器 - SOIC-8
LM258DT和LM258DR2G区别
LM258DRG4
LM258DRG4
德州仪器
运算放大器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
双运算放大器 DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
LM258DT和LM258DRG4区别
KA258D
KA258D
飞兆/仙童
放大器、缓冲器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
双路运算放大器 Dual Operational Amplifier
LM258DT和KA258D区别
LM258DRE4
LM258DRE4
德州仪器
运算放大器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
双运算放大器 DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
LM258DT和LM258DRE4区别
KA258DTF
KA258DTF
飞兆/仙童
放大器、缓冲器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
运算放大器 - 运放 Dual OP amp
LM258DT和KA258DTF区别

LM258DT和LM358DT,LM258D的区别:LM258DT SOIC 2Channel 8Pin;LM358DT SOIC 1.1MHz 2Channel 8Pin,LM258D SOIC 8Pin。LM258DT和LM358DT;LM258D哪个好:LM258DT LM158,LM258,LM358,低功率双路运算放大器,具有低输入偏置电流 LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下,输入共模电压范围包含接地,且输出电压还可摆幅至接地。 设计用于通过单电源工作 大直流电压增益:100 dB 宽带宽(单位增益):1.1 MHz ### 运算放大器,STMicroelectronics;LM358DT STMICROELECTRONICS  LM358DT  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚;LM258D STMICROELECTRONICS  LM258D  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚。LM258DT和LM358DT,LM258D对比:LM258DT 封装:SOIC-8,引脚:8,通道数:2,带宽:1.1 MHz,转换速率:600 mV/μs,电路数:2,针脚数:8,输入补偿电压:1 mV,eccn代码:EAR99,电源电压:32.0 V,供电电流:700 µA,输出电流:60 mA,输入偏置电流:20 nA,工作温度:-40℃ ~ 105℃,增益频宽积:1.1 MHz,共模抑制比:85 dB,长度:4.9 mm,宽度:3.9 mm,高度:1.65 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,增益带宽:1.1 MHz,共模抑制比:70 dB,reach svhc版本:2015/12/17,电源电压:3V ~ 30V,工作温度:105 ℃,工作温度:-40 ℃;LM358DT 封装:SOIC-8,引脚:8,通道数:2,带宽:1.1 MHz,转换速率:600 mV/μs,电路数:2,针脚数:8,输入补偿电压:2 mV,eccn代码:EAR99,电源电压:32.0 V,香港进出口证:NLR,供电电流:700 µA,输出电流:60 mA,输入偏置电流:20 nA,工作温度:0℃ ~ 70℃,增益频宽积:1.1 MHz,共模抑制比:85 dB,长度:4.9 mm,宽度:3.9 mm,高度:1.65 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,增益带宽:1.1 MHz,共模抑制比:70 dB,电源电压:3V ~ 30V,汽车级:Yes,工作温度:70 ℃,工作温度:0 ℃;LM258D 封装:SOIC-8,引脚:8,通道数:2,带宽:1.1 MHz,转换速率:600 mV/μs,功耗:500 mW,电路数:2,针脚数:8,输入补偿电压:1 mV,电源电压:32.0 V,eccn代码:EAR99,供电电流:700 µA,输出电流:40 mA,输入偏置电流:20 nA,工作温度:-40℃ ~ 105℃,增益频宽积:1.1 MHz,共模抑制比:70 dB,长度:4.9 mm,宽度:4 mm,高度:1.25 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,增益带宽:1.1 MHz,共模抑制比:70 dB,reach svhc版本:2015/12/17,电源电压:3V ~ 30V,电源电压:30 V,电源电压:3 V,工作温度:105 ℃,工作温度:-40 ℃。

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