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首页 > 电子元器件分类 > 双极性晶体管 > MBT3904DW1T1G > MBT3904DW1T1G腾龙娱乐平台会员登入地址比较:MBT3904DW1T1G和MMDT2222A-7-F 区别差异

MBT3904DW1T1GMMDT2222A-7-FMBT3904DW1T3G区别

更新时间:2023-12-15 00:54:47
MBT3904DW1T1G
MBT3904DW1T1G
安森美
VS
MMDT2222A-7-F
MMDT2222A-7-F
美台
VS
MBT3904DW1T3G
MBT3904DW1T3G
安森美

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
MBT3904DW1T1
MBT3904DW1T1
安森美
双极性晶体管
完全替代 主要性能参数、功能特性一致,端子和封装相符;更换不需要修改现有电路
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW1T1G和MBT3904DW1T1区别
MBT3904DW1T3G
MBT3904DW1T3G
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
MBT3904DW1T1G和MBT3904DW1T3G区别
MBT3904DW2T1
MBT3904DW2T1
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW1T1G和MBT3904DW2T1区别
MBT3904DW2T1G
MBT3904DW2T1G
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW1T1G和MBT3904DW2T1G区别
MBT3904DW1T3
MBT3904DW1T3
安森美
晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
SC-88 NPN 40V 0.2A
MBT3904DW1T1G和MBT3904DW1T3区别
MMDT3904-7-F
MMDT3904-7-F
美台
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
二极管与整流器
MBT3904DW1T1G和MMDT3904-7-F区别
MMDT2222A-7-F
MMDT2222A-7-F
美台
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
MMDT2222A-7-F 编带
MBT3904DW1T1G和MMDT2222A-7-F区别
DMMT3904W-7
DMMT3904W-7
美台
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
特点•匹配NPN小信号表面贴装晶体管•外延平面电路小片建设•本质匹配的NPN对(注1)•小型表面贴装封装•2%的匹配容差,HFE,VCE(SAT),VBE(SAT)•1%的匹配容差(注2)
MBT3904DW1T1G和DMMT3904W-7区别
SMBT3904S
SMBT3904S
英飞凌
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
SMBT3904S 双NPN 60V 0.2A 300MHZ HEF=30~300 SOT363 代码 1A
MBT3904DW1T1G和SMBT3904S区别
CMKT3904
CMKT3904
Central Semiconductor
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
SOT-363 NPN 40V 0.2A
MBT3904DW1T1G和CMKT3904区别

MBT3904DW1T1G和MMDT2222A-7-F,MBT3904DW1T3G的区别:MBT3904DW1T1G SOT-363 NPN 40V 200mA 150mW;MMDT2222A-7-F SOT-363 NPN 40V 600mA 200mW,MBT3904DW1T3G SOT-363 NPN 40V 200mA 150mW。MBT3904DW1T1G和MMDT2222A-7-F;MBT3904DW1T3G哪个好:MBT3904DW1T1G ON SEMICONDUCTOR  MBT3904DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363;MMDT2222A-7-F MMDT2222A-7-F 编带;MBT3904DW1T3G NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管。MBT3904DW1T1G和MMDT2222A-7-F,MBT3904DW1T3G对比:MBT3904DW1T1G 封装:SC-70-6,引脚:6,频率:300 MHz,额定功率:150 mW,功耗:150 mW,针脚数:6,额定电压:40.0 V,极性:NPN,eccn代码:EAR99,香港进出口证:NLR,击穿电压:40 V,集电极最大允许电流:0.2A,最小电流放大倍数:100 @10mA, 1V,额定电流:200 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃,材质:Silicon,长度:2.2 mm,宽度:1.35 mm,高度:1 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,晶体管极性:NPN,汽车级:Yes,额定功率:150 mW,工业级:Yes,直流电流增益:300,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:150 mW,reach svhc版本:2015/12/17;MMDT2222A-7-F 封装:SOT-363,引脚:6,频率:300 MHz,额定功率:0.2 W,功耗:200 mW,额定电压:40.0 V,极性:NPN,击穿电压:40 V,集电极最大允许电流:0.6A,最小电流放大倍数:100 @150mA, 10V,最大电流放大倍数:300,eccn代码:EAR99,额定电流:600 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),增益频宽积:300 MHz,长度:2.2 mm,宽度:1.35 mm,高度:1 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,额定功率:200 mW,直流电流增益:100,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:200 mW,晶体管极性:NPN;MBT3904DW1T3G 封装:SOT-363,引脚:6,频率:300 MHz,功耗:150 mW,针脚数:6,额定电压:40.0 V,极性:NPN,击穿电压:40 V,集电极最大允许电流:0.2A,最小电流放大倍数:100 @10mA, 1V,eccn代码:EAR99,额定电流:200 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),长度:2.2 mm,宽度:1.35 mm,高度:1 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,额定功率:150 mW,直流电流增益:100,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:150 mW,reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:NPN,汽车级:Yes。

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