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首页 > 电子元器件分类 > 双极性晶体管 > MC1413BDR2G > MC1413BDR2G腾龙娱乐平台会员登入地址比较:MC1413BDR2G和ULQ2003ADR 区别差异

MC1413BDR2GULQ2003ADRULQ2003AD区别

更新时间:2023-12-15 01:11:40
MC1413BDR2G
MC1413BDR2G
安森美
VS
ULQ2003ADR
ULQ2003ADR
德州仪器
VS
ULQ2003AD
ULQ2003AD
德州仪器

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
ULN2003D1013TR
ULN2003D1013TR
意法半导体
双极性晶体管
完全替代 主要性能参数、功能特性一致,端子和封装相符;更换不需要修改现有电路
STMICROELECTRONICS  ULN2003D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
MC1413BDR2G和ULN2003D1013TR区别
MC1413DR2G
MC1413DR2G
安森美
双极性晶体管
完全替代 主要性能参数、功能特性一致,端子和封装相符;更换不需要修改现有电路
NPN 复合晶体管,On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
MC1413BDR2G和MC1413DR2G区别
ULQ2003ADR
ULQ2003ADR
德州仪器
双极性晶体管
完全替代 主要性能参数、功能特性一致,端子和封装相符;更换不需要修改现有电路
TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003ADR  达林顿晶体管阵列, NPN, 7, 50V
MC1413BDR2G和ULQ2003ADR区别
MC1413BDR2
MC1413BDR2
安森美
双极性晶体管
完全替代 主要性能参数、功能特性一致,端子和封装相符;更换不需要修改现有电路
高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
MC1413BDR2G和MC1413BDR2区别
ULN2004D1013TR
ULN2004D1013TR
意法半导体
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  ULN2004D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
MC1413BDR2G和ULN2004D1013TR区别
ULN2002D1013TR
ULN2002D1013TR
意法半导体
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  ULN2002D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
MC1413BDR2G和ULN2002D1013TR区别
MC1413P
MC1413P
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
反相输出达林顿管阵列
MC1413BDR2G和MC1413P区别
MC1413DR2
MC1413DR2
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
反相输出达林顿管阵列
MC1413BDR2G和MC1413DR2区别
ULN2003AIDR
ULN2003AIDR
德州仪器
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AIDR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
MC1413BDR2G和ULN2003AIDR区别
ULN2001D1013TR
ULN2001D1013TR
意法半导体
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
STMICROELECTRONICS  ULN2001D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
MC1413BDR2G和ULN2001D1013TR区别

MC1413BDR2G和ULQ2003ADR,ULQ2003AD的区别:MC1413BDR2G SOIC NPN 50V 500mA;ULQ2003ADR SOIC NPN 50V 500mA,ULQ2003AD SOIC NPN。MC1413BDR2G和ULQ2003ADR;ULQ2003AD哪个好:MC1413BDR2G ON SEMICONDUCTOR  MC1413BDR2G  晶体管阵列;ULQ2003ADR TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003ADR  达林顿晶体管阵列, NPN, 7, 50V;ULQ2003AD TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003AD  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC。MC1413BDR2G和ULQ2003ADR,ULQ2003AD对比:MC1413BDR2G 封装:SOIC-16,引脚:16,针脚数:16,额定电压:50.0 V,输出电压:50 V,极性:NPN,最小电流放大倍数:1000 @350mA, 2V,eccn代码:EAR99,香港进出口证:NLR,电源电压:30.0 V,击穿电压:50 V,集电极最大允许电流:0.5A,额定电流:500 mA,输出电流:500 mA,工作温度:150℃ (TJ),卤素:Halogen Free,长度:10 mm,宽度:4 mm,高度:1.5 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,晶体管极性:NPN,汽车级:Yes,工业级:Yes,直流电流增益:1000,工作温度:85 ℃,工作温度:-40 ℃,reach svhc版本:2015/12/17,输入电压:30 V;ULQ2003ADR 封装:SOIC-16,引脚:16,针脚数:16,额定电压:50.0 V,极性:NPN,击穿电压:50 V,集电极最大允许电流:0.5A,eccn代码:EAR99,额定电流:500 mA,驱动器:7,输出接口数:7,工作温度:-40℃ ~ 85℃ (TA),长度:9.9 mm,宽度:3.91 mm,高度:1.58 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:-40 ℃,reach svhc版本:2015/06/15,晶体管极性:NPN,工业级:Yes,输出电流:500 mA,工作温度:85 ℃;ULQ2003AD 封装:SOIC-16,引脚:16,通道数:7,针脚数:16,输出电压:50 V,极性:NPN,eccn代码:EAR99,击穿电压:50 V,集电极最大允许电流:0.5A,输出电流:0.5 A,驱动器:7,输出接口数:7,工作温度:-40℃ ~ 85℃ (TA),长度:9.9 mm,宽度:3.91 mm,高度:1.58 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工业级:Yes,输出电流:500 mA,直流电流增益:1000,工作温度:85 ℃,工作温度:-40 ℃,reach svhc版本:2015/06/15,输入电压:30 V,晶体管极性:NPN。

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