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首页 > 电子元器件分类 > 运算放大器 > MC33178DR2G > MC33178DR2G腾龙娱乐平台会员登入地址比较:MC33178DR2G和MC33178PG 区别差异

MC33178DR2GMC33178PGMC33178DG区别

更新时间:2023-12-14 20:06:46
MC33178DR2G
MC33178DR2G
安森美
VS
MC33178PG
MC33178PG
安森美
VS
MC33178DG
MC33178DG
安森美
  • 型号
    MC33178DR2G
    MC33178PG
    MC33178DG
  • 描述
    MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器,ON Semiconductor ON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。 600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压:0.15 mV(平均值) 低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时) 高增益带宽:5 MHz 高转换速率:2 V/μs 双电源操作:±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器,ON Semiconductor
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    低功耗,低噪声运算放大器 Low Power, Low Noise Operational Amplifiers
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    MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器,ON Semiconductor ON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。 600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压:0.15 mV(平均值) 低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时) 高增益带宽:5 MHz 高转换速率:2 V/μs 双电源操作:±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器,ON Semiconductor
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  • 数据手册
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  • 制造商
    ON Semiconductor (安森美)
    ON Semiconductor (安森美)
    ON Semiconductor (安森美)
  • 分类
    运算放大器
    放大器、缓冲器
    运算放大器
  • 封装参数

  • 安装方式
    Surface Mount
    Through Hole
    Surface Mount
  • 引脚数
    8
    8
    8
  • 封装
    SOIC-8
    PDIP-8
    SOIC-8
  • 技术参数

  • 电源电压(DC)
    -
    15.0 V
    36.0 V
  • 工作电压
    -
    2V ~ 18V
    2V ~ 18V
  • 无卤素状态
    Halogen Free
    -
    Halogen Free
  • 供电电流
    1.7 mA
    1.7 mA
    1.7 mA
  • 电路数
    2
    2
    2
  • 通道数
    2
    2
    2
  • 针脚数
    8
    -
    8
  • 共模抑制比
    110 dB
    80 dB
    80 dB
  • 带宽
    5 MHz
    5 MHz
    3 MHz
  • 转换速率
    2.00 V/μs
    2.00 V/μs
    2.00 V/μs
  • 增益频宽积
    5 MHz
    5 MHz
    5 MHz
  • 输入补偿电压
    1.5 mV
    1.5 mV
    1.5 mV
  • 输入偏置电流
    100 nA
    100 nA
    100 nA
  • 工作温度(Max)
    85 ℃
    85 ℃
    85 ℃
  • 工作温度(Min)
    -40 ℃
    -40 ℃
    -40 ℃
  • 增益带宽
    5 MHz
    -
    5 MHz
  • 共模抑制比(Min)
    80 dB
    80 dB
    80 dB
  • 电源电压(Max)
    -
    36 V
    18 V
  • 电源电压(Min)
    -
    4 V
    4 V
  • 输出电流
    80 mA
    -
    -
  • 电源电压
    36 V
    -
    -
  • 外形尺寸

  • 长度
    5 mm
    9.27 mm
    5 mm
  • 宽度
    4 mm
    6.35 mm
    4 mm
  • 高度
    1.5 mm
    5.33 mm
    1.5 mm
  • 封装
    SOIC-8
    PDIP-8
    SOIC-8
  • 物理参数

  • 工作温度
    -40℃ ~ 85℃
    -40℃ ~ 85℃
    -40℃ ~ 85℃
  • 其他

  • 产品生命周期
    Active
    Unknown
    Active
  • 包装方式
    Tape & Reel (TR)
    Tube
    Each
  • 符合标准

  • RoHS标准
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
  • 含铅标准
    Lead Free
    Lead Free
    Lead Free
  • REACH SVHC标准
    -
    No SVHC
    No SVHC
  • REACH SVHC版本
    2015/12/17
    2015/12/17
    2015/12/17
  • 海关信息

  • ECCN代码
    EAR99
    EAR99
    EAR99
  • 香港进出口证
    NLR
    -
    -
  • 参考价格(
    $ 0.502 全部价格 (16家)
    $ 0.730 全部价格 (8家)
    $ 0.126 全部价格 (14家)
  • 总库存量(pcs)
    0
    25.4k
    261.6k
  • 概述

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    MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器ON Semiconductor ON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。 600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压:0.15 mV(平均值) 低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时) 高增益带宽:5 MHz 高转换速率:2 V/μs 双电源操作:±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器,ON Semiconductor

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    The MC33178/9 series is a family of high quality monolithic amplifiers employing Bipolar technology with innovative high performance concepts for quality audio and data signal processing applications. This device family incorporates the use of high frequency PNP input transistors to produce amplifiers exhibiting low input offset voltage, noise and distortion. In addition, the amplifier provides high output current drive capability while consuming only 420A of drain current per amplifier. The NPN output stage used, exhibits no deadband crossover distortion, large output voltage swing, excellent phase and gain margins, low open−loop high frequency output impedance, symmetrical source and sink AC frequency performance. Features •600 Ω Output Drive Capability •Large Output Voltage Swing •Low Offset Voltage: 0.15 mV (Mean) •Low T.C. of Input Offset Voltage: 2.0 V/°C •Low Total Harmonic Distortion: 0.0024% (@ 1.0 kHz w/600Ω Load) •High Gain Bandwidth: 5.0 MHz •High Slew Rate: 2.0 V/s •Dual Supply Operation: ±2.0 V to ±18 V •ESD Clamps on the Inputs Increase Ruggedness without Affecting Device Performance •Pb−Free Packages are Available

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    MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器ON Semiconductor ON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。 600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压:0.15 mV(平均值) 低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时) 高增益带宽:5 MHz 高转换速率:2 V/μs 双电源操作:±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器,ON Semiconductor

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
MC33178DG
MC33178DG
安森美
运算放大器
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器,ON Semiconductor ON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。 600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压:0.15 mV(平均值) 低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时) 高增益带宽:5 MHz 高转换速率:2 V/μs 双电源操作:±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器,ON Semiconductor
MC33178DR2G和MC33178DG区别
MC33178DR2
MC33178DR2
安森美
放大器、缓冲器
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
低功耗,低噪声运算放大器 Low Power, Low Noise Operational Amplifiers
MC33178DR2G和MC33178DR2区别
MC33178D
MC33178D
安森美
放大器、缓冲器
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
低功耗,低噪声运算放大器 Low Power, Low Noise Operational Amplifiers
MC33178DR2G和MC33178D区别
MC33078DT
MC33078DT
意法半导体
运算放大器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
STMICROELECTRONICS  MC33078DT  运算放大器, 双路, 15 MHz, 2个放大器, 7 V/µs, ± 2.5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚
MC33178DR2G和MC33078DT区别
AD706JRZ
AD706JRZ
亚德诺
运算放大器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
Analog Devices ### 运算放大器,Analog Devices
MC33178DR2G和AD706JRZ区别
LM358DRG3
LM358DRG3
德州仪器
运算放大器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
双运算放大器 DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
MC33178DR2G和LM358DRG3区别
AD706ARZ-REEL7
AD706ARZ-REEL7
亚德诺
运算放大器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
Analog Devices ### 运算放大器,Analog Devices
MC33178DR2G和AD706ARZ-REEL7区别
AD706JR
AD706JR
亚德诺
放大器、缓冲器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
双Picoampere输入电流双极运算放大器 Dual Picoampere Input Current Bipolar Op Amp
MC33178DR2G和AD706JR区别
AD706JRZ-REEL
AD706JRZ-REEL
亚德诺
放大器、缓冲器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
IC OPAMP GP 800kHz 8SOIC
MC33178DR2G和AD706JRZ-REEL区别
MC33178PG
MC33178PG
安森美
放大器、缓冲器
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
低功耗,低噪声运算放大器 Low Power, Low Noise Operational Amplifiers
MC33178DR2G和MC33178PG区别

MC33178DR2G和MC33178PG,MC33178DG的区别:MC33178DR2G SOIC 5MHz 2Channel 8Pin;MC33178PG DIP 8Pin 2V/us,MC33178DG SOIC 8Pin。MC33178DR2G和MC33178PG;MC33178DG哪个好:MC33178DR2G MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器,ON Semiconductor ON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。 600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压:0.15 mV(平均值) 低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时) 高增益带宽:5 MHz 高转换速率:2 V/μs 双电源操作:±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器,ON Semiconductor;MC33178PG 低功耗,低噪声运算放大器 Low Power, Low Noise Operational Amplifiers;MC33178DG MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器,ON Semiconductor ON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。 600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压:0.15 mV(平均值) 低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时) 高增益带宽:5 MHz 高转换速率:2 V/μs 双电源操作:±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器,ON Semiconductor。MC33178DR2G和MC33178PG,MC33178DG对比:MC33178DR2G 封装:SOIC-8,引脚:8,通道数:2,带宽:5 MHz,转换速率:2.00 V/μs,电路数:2,针脚数:8,输入补偿电压:1.5 mV,eccn代码:EAR99,香港进出口证:NLR,供电电流:1.7 mA,输出电流:80 mA,输入偏置电流:100 nA,工作温度:-40℃ ~ 85℃,增益频宽积:5 MHz,共模抑制比:110 dB,卤素:Halogen Free,长度:5 mm,宽度:4 mm,高度:1.5 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,增益带宽:5 MHz,共模抑制比:80 dB,reach svhc版本:2015/12/17,电源电压:36 V,工作温度:85 ℃,工作温度:-40 ℃;MC33178PG 封装:PDIP-8,引脚:8,通道数:2,带宽:5 MHz,转换速率:2.00 V/μs,电路数:2,工作电压:2V ~ 18V,输入补偿电压:1.5 mV,eccn代码:EAR99,电源电压:15.0 V,供电电流:1.7 mA,输入偏置电流:100 nA,工作温度:-40℃ ~ 85℃,增益频宽积:5 MHz,共模抑制比:80 dB,长度:9.27 mm,宽度:6.35 mm,高度:5.33 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Unknown,reach svhc版本:2015/12/17,电源电压:36 V,电源电压:4 V,工业级:Yes,工作温度:85 ℃,工作温度:-40 ℃,共模抑制比:80 dB;MC33178DG 封装:SOIC-8,引脚:8,通道数:2,带宽:3 MHz,转换速率:2.00 V/μs,电路数:2,针脚数:8,工作电压:2V ~ 18V,输入补偿电压:1.5 mV,电源电压:36.0 V,eccn代码:EAR99,供电电流:1.7 mA,输入偏置电流:100 nA,工作温度:-40℃ ~ 85℃,卤素:Halogen Free,增益频宽积:5 MHz,共模抑制比:80 dB,长度:5 mm,宽度:4 mm,高度:1.5 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Each,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,增益带宽:5 MHz,共模抑制比:80 dB,reach svhc版本:2015/12/17,电源电压:18 V,电源电压:4 V,工作温度:85 ℃,工作温度:-40 ℃。

型号对应页索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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