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首页 > 电子元器件分类 > 双极性晶体管 > MJE350G > MJE350G腾龙娱乐平台会员登入地址比较:MJE350G和MJE350STU 区别差异

MJE350GMJE350STUMJE350区别

更新时间:2023-12-14 20:08:38
MJE350G
MJE350G
安森美
VS
MJE350STU
MJE350STU
飞兆/仙童
VS
MJE350
MJE350
意法半导体

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
MJE350STU
MJE350STU
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
ON Semiconductor MJE350STU , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 TO-126封装
MJE350G和MJE350STU区别
KSE350STU
KSE350STU
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
PNP 20 W 300 V 0.5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3
MJE350G和KSE350STU区别
MJE350
MJE350
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTOR PNP SILICON
MJE350G和MJE350区别
MJE350
MJE350
意法半导体
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
STMICROELECTRONICS  MJE350  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20.8 W, -500 mA, 240 hFE
MJE350G和MJE350区别
MJE350STU
MJE350STU
飞兆/仙童
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJE350STU  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20 W, -500 mA, 30 hFE
MJE350G和MJE350STU区别
KSE350S
KSE350S
飞兆/仙童
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
高电压通用应用 High Voltage General Purpose Applications
MJE350G和KSE350S区别
MJE350
MJE350
Multicomp
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
MULTICOMP  MJE350  单晶体管 双极, 通用, PNP, -300 V, 20 W, -500 mA, 30 hFE
MJE350G和MJE350区别
MJE350
MJE350
Central Semiconductor
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3Pin TO-126
MJE350G和MJE350区别
MJE350
MJE350
Continental Device
晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
20W Switching PNP Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 0.5A Ic, 30 - 240 hFE. Complementary MJE340
MJE350G和MJE350区别

MJE350G和MJE350STU,MJE350的区别:MJE350G TO-126 PNP -300V -500mA 20000mW;MJE350STU TO-126 NPN -300V -500mA 20000mW,MJE350 TO-225AA PNP -300V -500mA 2800mW。MJE350G和MJE350STU;MJE350哪个好:MJE350G ON SEMICONDUCTOR  MJE350G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 300 V, 20 W, 500 mA, 240 hFE;MJE350STU FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJE350STU  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20 W, -500 mA, 30 hFE;MJE350 STMICROELECTRONICS  MJE350  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20.8 W, -500 mA, 240 hFE。MJE350G和MJE350STU,MJE350对比:MJE350G 封装:TO-126-3,引脚:3,功耗:20 W,针脚数:3,热阻:6.25℃/W (RθJC),额定电压:-300 V,极性:PNP, P-Channel,击穿电压:300 V,集电极最大允许电流:0.5A,最小电流放大倍数:30,eccn代码:EAR99,额定电流:-500 mA,材质:Silicon,工作温度:-65℃ ~ 150℃,长度:7.74 mm,宽度:2.66 mm,高度:11.04 mm,安装方式:Through Hole,包装:Bulk,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:150 ℃,工作温度:-65 ℃,耗散功率:20000 mW,晶体管极性:PNP,工业级:Yes,额定功率:20 W,直流电流增益:240;MJE350STU 封装:TO-126-3,引脚:3,功耗:20 W,针脚数:3,额定电压:-300 V,极性:NPN,集电极最大允许电流:0.5A,最小电流放大倍数:30 @50mA, 10V,最大电流放大倍数:240,eccn代码:EAR99,击穿电压:300 V,额定电流:-500 mA,材质:Silicon,工作温度:150℃ (TJ),长度:8 mm,宽度:3.25 mm,高度:11 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,耗散功率:20000 mW,reach svhc版本:2015/06/15,晶体管极性:PNP,额定功率:20 W,直流电流增益:30,工作温度:150 ℃,工作温度:-65 ℃;MJE350 封装:TO-126-3,引脚:3,功耗:20.8 W,针脚数:3,额定电压:-300 V,极性:PNP, P-Channel,击穿电压:300 V,最小电流放大倍数:30 @50mA, 10V,额定电流:-500 mA,材质:Silicon,工作温度:150℃ (TJ),长度:7.8 mm,宽度:2.7 mm,高度:10.8 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,直流电流增益:240,工作温度:150 ℃,工作温度:-65 ℃,耗散功率:2800 mW,reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:PNP,工业级:Yes,额定功率:20.8 W。

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