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首页 > 电子元器件分类 > 二极管阵列 > MMBD7000 > MMBD7000腾龙娱乐平台会员登入地址比较:MMBD7000和MMBD7000LT1G 区别差异

MMBD7000MMBD7000LT1GMMBD7000_D87Z区别

更新时间:2023-12-12 23:56:10
MMBD7000
MMBD7000
飞兆/仙童
VS
MMBD7000LT1G
MMBD7000LT1G
安森美
VS
MMBD7000_D87Z
MMBD7000_D87Z
飞兆/仙童

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
MMBD7000_D87Z
MMBD7000_D87Z
飞兆/仙童
二极管阵列
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
二极管 - 通用,功率,开关 High Cond Ultra Fast
MMBD7000和MMBD7000_D87Z区别
MMBD7000-V-GS08
MMBD7000-V-GS08
威世
二极管阵列
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
小信号开关二极管,双 Small Signal Switching Diode, Dual
MMBD7000和MMBD7000-V-GS08区别
MMBD7000LT1G
MMBD7000LT1G
安森美
二极管阵列
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON SEMICONDUCTOR  MMBD7000LT1G  二极管 小信号, 双系列, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mA
MMBD7000和MMBD7000LT1G区别
PMBD7000,215
PMBD7000,215
恩智浦
二极管阵列
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
PMBD7000 系列 100 V 215 mA 表面贴装 高速 双 二极管 - SOT-23-3
MMBD7000和PMBD7000,215区别
MMBD7000-TP
MMBD7000-TP
美微科
二极管阵列
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS  MMBD7000-TP  开关二极管, 100V, SOT-23
MMBD7000和MMBD7000-TP区别
MMBD7000
MMBD7000
安森美
二极管阵列
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
MMBD 系列 350 mW 100 V 200 mA 表面贴装 小信号 二极管 - SOT-23
MMBD7000和MMBD7000区别
PMBD7000
PMBD7000
恩智浦
小信号二极管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
NXP  PMBD7000  二极管 小信号, 双系列, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
MMBD7000和PMBD7000区别
MMBD7000
MMBD7000
Taitron
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
Diode Ultra Fast Recovery Rectifier 100V 0.2A 3Pin SOT-23 T/R
MMBD7000和MMBD7000区别
CMPD7000E
CMPD7000E
Central Semiconductor
二极管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
SMD Switching Diode Dual: In Series
MMBD7000和CMPD7000E区别
PMBD7000@215
PMBD7000@215
恩智浦
二极管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
PMBD7000@215
MMBD7000和PMBD7000@215区别

MMBD7000和MMBD7000LT1G,MMBD7000_D87Z的区别:MMBD7000 SOT-23 100V 200mA 3Pin;MMBD7000LT1G SOT-23 100V 200mA 3Pin,MMBD7000_D87Z TO-236-3。MMBD7000和MMBD7000LT1G;MMBD7000_D87Z哪个好:MMBD7000 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBD7000  二极管 小信号, 双系列, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 2 A;MMBD7000LT1G ON SEMICONDUCTOR  MMBD7000LT1G  二极管 小信号, 双系列, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mA;MMBD7000_D87Z 二极管 - 通用,功率,开关 High Cond Ultra Fast。MMBD7000和MMBD7000LT1G,MMBD7000_D87Z对比:MMBD7000 封装:SOT-23-3,引脚:3,功耗:350 mW,电容:1.5 pF,针脚数:3,额定电压:100 V,反向恢复时间:4 ns,正向电流:200 mA,最大正向浪涌电流:2 A,eccn代码:EAR99,正向电压:1.1V @100mA,额定电流:200 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃,长度:2.92 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.93 mm,安装方式:Surface Mount,重量:0.01133981 kg,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作结温:150℃ (Max),工作结温:150 ℃,reach svhc版本:2015/06/15,正向电压:1.1 V,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃;MMBD7000LT1G 封装:SOT-23-3,引脚:3,功耗:300 mW,电容:1.50 pF,针脚数:3,额定电压:100 V,反向恢复时间:4 ns,正向电流:200 mA,最大正向浪涌电流:500 mA,eccn代码:EAR99,正向电压:1.1 V,额定电流:200 mA,负载电流:0.2 A,工作温度:-55℃ ~ 150℃,卤素:Halogen Free,长度:2.9 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.94 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:-55 ℃,工作结温:150 ℃,耗散功率:300 mW,reach svhc版本:2014/12/17,汽车级:Yes,正向电压:1.1 V,工业级:Yes,正向电流:200 mA,工作温度:150 ℃;MMBD7000_D87Z 封装:SOT-23-3,正向电压:1.1V @100mA,反向恢复时间:4 ns,eccn代码:EAR99,长度:2.92 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.93 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Unknown,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,工作结温:150℃ (Max),正向电压:1.1V @100mA。

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