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首页 > 电子元器件分类 > 双极性晶体管 > MMBT3904-7-F > MMBT3904-7-F腾龙娱乐平台会员登入地址比较:MMBT3904-7-F和MMBT3904-G 区别差异

MMBT3904-7-FMMBT3904-GMMBT3904HLT1G区别

更新时间:2023-12-15 00:48:39
MMBT3904-7-F
MMBT3904-7-F
美台
VS
MMBT3904-G
MMBT3904-G
上华科技
VS
MMBT3904HLT1G
MMBT3904HLT1G
安森美
  • 型号
    MMBT3904-7-F
    MMBT3904-G
    MMBT3904HLT1G
  • 描述
    三极管
    MMBT3904-7-F 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    外延平面模施工   作为互补型,PNP     建议晶体管MMBT3906-G
    MMBT3904-G 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    TRANS NPN 40V 0.2A SOT23
  • 数据手册
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  • 制造商
    Diodes (美台)
    Comchip Technology (上华科技)
    ON Semiconductor (安森美)
  • 分类
    双极性晶体管
    双极性晶体管
    双极性晶体管
  • 封装参数

  • 安装方式
    Surface Mount
    Surface Mount
    -
  • 引脚数
    3
    3
    -
  • 封装
    SOT-23-3
    SOT-23-3
    -
  • 技术参数

  • 频率
    300 MHz
    300 MHz
    -
  • 极性
    NPN
    NPN
    -
  • 耗散功率
    300 mW
    0.2 W
    -
  • 击穿电压(集电极-发射极)
    40 V
    40 V
    -
  • 集电极最大允许电流
    0.2A
    0.2A
    -
  • 最小电流放大倍数(hFE)
    100 @10mA, 1V
    100 @10mA, 1V
    -
  • 额定功率(Max)
    300 mW
    200 mW
    -
  • 工作温度(Max)
    150 ℃
    150 ℃
    -
  • 工作温度(Min)
    -55 ℃
    -55 ℃
    -
  • 耗散功率(Max)
    300 mW
    200 mW
    -
  • 额定电压(DC)
    40.0 V
    -
    -
  • 额定功率
    0.31 W
    -
    -
  • 针脚数
    3
    -
    -
  • 最大电流放大倍数(hFE)
    300
    -
    -
  • 直流电流增益(hFE)
    100
    -
    -
  • 工作结温
    -55℃ ~ 150℃
    -
    -
  • 外形尺寸

  • 封装
    SOT-23-3
    SOT-23-3
    -
  • 长度
    3.05 mm
    -
    -
  • 宽度
    1.4 mm
    -
    -
  • 高度
    1 mm
    -
    -
  • 物理参数

  • 工作温度
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    -
  • 其他

  • 产品生命周期
    Active
    Active
    Unknown
  • 包装方式
    Tape & Reel (TR)
    Tape & Reel (TR)
    -
  • 符合标准

  • RoHS标准
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
  • 含铅标准
    Lead Free
    Lead Free
    Lead Free
  • REACH SVHC标准
    No SVHC
    -
    -
  • REACH SVHC版本
    2015/12/17
    -
    -
  • 海关信息

  • ECCN代码
    EAR99
    -
    -
  • 香港进出口证
    NLR
    -
    -
  • 参考价格(
    $ 0.008 全部价格 (18家)
    $ 0.009 全部价格 (5家)
    $ 0.052 全部价格 (4家)
  • 总库存量(pcs)
    1.4k
    838.9k
    0
  • 概述

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    集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~300mV 耗散功率PcPower Dissipation| Description & Applications| 40V NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (MMBT3906) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 描述与应用| 40V NPN小信号表面贴装晶体管 外延平面电路小片建设 •互补PNP类型可用(MMBT3906) •非常适于中等功率放大和开关 •完全无铅完全符合RoHS标准(注1及2) •卤素和锑免费。 “绿色”设备(注3) •符合AEC-Q101标准的高可靠性

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    集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation| Description & Applications| Epitaxial planar die construction -As complementary type,the PNP Q172transistor MMBT3906-G is recommended 描述与应用| 外延平面模施工    作为互补型,PNP      建议晶体管MMBT3906-G

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    Bipolar (BJT) Transistor

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    -

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
MMBT3904LT1G
MMBT3904LT1G
安森美
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 300 hFE
MMBT3904-7-F和MMBT3904LT1G区别
MMBT2369ALT1G
MMBT2369ALT1G
安森美
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON SEMICONDUCTOR  MMBT2369ALT1G  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE
MMBT3904-7-F和MMBT2369ALT1G区别
MMBT6429LT1G
MMBT6429LT1G
安森美
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON SEMICONDUCTOR  MMBT6429LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE
MMBT3904-7-F和MMBT6429LT1G区别
MMBT3904LT3G
MMBT3904LT3G
安森美
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT3G.  射频双极性晶体管
MMBT3904-7-F和MMBT3904LT3G区别
MMBT3904
MMBT3904
飞兆/仙童
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT3904  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 200 mA, 300 hFE
MMBT3904-7-F和MMBT3904区别
SMBT3904E6327HTSA1
SMBT3904E6327HTSA1
英飞凌
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
SMBT3904 系列 NPN 40 V 200 mA 表面贴装 硅 开关 晶体管 - SOT-23-3
MMBT3904-7-F和SMBT3904E6327HTSA1区别
MMBT3904K
MMBT3904K
飞兆/仙童
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
NPN外延硅晶体管,通用晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor, General Purpose Transistor
MMBT3904-7-F和MMBT3904K区别
MMBT3904Q-7-F
MMBT3904Q-7-F
美台
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor SOT23 T&R; 3K
MMBT3904-7-F和MMBT3904Q-7-F区别
MMBT3904-13-F
MMBT3904-13-F
美台
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R
MMBT3904-7-F和MMBT3904-13-F区别

MMBT3904-7-F和MMBT3904-G,MMBT3904HLT1G的区别:MMBT3904-7-F SOT-23 NPN 40V 300mW;MMBT3904-G SOT-23/SC-59 NPN,MMBT3904HLT1G。MMBT3904-7-F和MMBT3904-G;MMBT3904HLT1G哪个好:MMBT3904-7-F 三极管;MMBT3904-G 外延平面模施工   作为互补型,PNP     建议晶体管MMBT3906-G;MMBT3904HLT1G TRANS NPN 40V 0.2A SOT23。MMBT3904-7-F和MMBT3904-G,MMBT3904HLT1G对比:MMBT3904-7-F 封装:SOT-23-3,引脚:3,频率:300 MHz,额定功率:0.31 W,功耗:300 mW,针脚数:3,额定电压:40.0 V,极性:NPN,击穿电压:40 V,集电极最大允许电流:0.2A,最小电流放大倍数:100 @10mA, 1V,最大电流放大倍数:300,eccn代码:EAR99,香港进出口证:NLR,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),长度:3.05 mm,宽度:1.4 mm,高度:1 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,直流电流增益:100,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,工作结温:-55℃ ~ 150℃,耗散功率:300 mW,reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:NPN,额定功率:300 mW,汽车级:Yes;MMBT3904-G 封装:SOT-23-3,引脚:3,频率:300 MHz,功耗:0.2 W,极性:NPN,击穿电压:40 V,集电极最大允许电流:0.2A,最小电流放大倍数:100 @10mA, 1V,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:200 mW,晶体管极性:NPN,额定功率:200 mW;MMBT3904HLT1G 含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Unknown。

型号对应页索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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