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首页 > 电子元器件分类 > 双极性晶体管 > MMBT3904LT1G > MMBT3904LT1G腾龙娱乐平台会员登入地址比较:MMBT3904LT1G和MMBT3904TT1G 区别差异

MMBT3904LT1GMMBT3904TT1GNSCT3904LT3G区别

更新时间:2023-12-14 21:07:00
MMBT3904LT1G
MMBT3904LT1G
安森美
VS
MMBT3904TT1G
MMBT3904TT1G
安森美
VS
NSCT3904LT3G
NSCT3904LT3G
安森美

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
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对比
MMBT3904LT1G
MMBT3904LT1G
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 300 hFE
MMBT3904LT1G和MMBT3904LT1G区别
MMBT3904TT1G
MMBT3904TT1G
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904TT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 300 hFE
MMBT3904LT1G和MMBT3904TT1G区别
MMBT3904WT1G
MMBT3904WT1G
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904WT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 150 mW, 200 mA, 300 hFE
MMBT3904LT1G和MMBT3904WT1G区别
MMBT3904LT3G
MMBT3904LT3G
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT3G.  射频双极性晶体管
MMBT3904LT1G和MMBT3904LT3G区别
MMBT3906LT3G
MMBT3906LT3G
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
MMBT3904LT1G和MMBT3906LT3G区别
SMMBT3904LT1G
SMMBT3904LT1G
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
ON SEMICONDUCTOR  SMMBT3904LT1G  新
MMBT3904LT1G和SMMBT3904LT1G区别
MMBT3904
MMBT3904
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
通用放大器晶体管表面贴装 GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT
MMBT3904LT1G和MMBT3904区别
NSCT3904LT3G
NSCT3904LT3G
安森美
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
SOT-23 NPN 40V 0.2A
MMBT3904LT1G和NSCT3904LT3G区别
PMBT3904T/R
PMBT3904T/R
恩智浦
晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
TRANSISTOR 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
MMBT3904LT1G和PMBT3904T/R区别
MMBT3904
MMBT3904
意法半导体
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
小信号NPN晶体管 SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
MMBT3904LT1G和MMBT3904区别

MMBT3904LT1G和MMBT3904TT1G,NSCT3904LT3G的区别:MMBT3904LT1G SOT-23 NPN 40V 200mA 300mW;MMBT3904TT1G SOT-416 NPN 40V 200mA 300mW,NSCT3904LT3G SOT-23 NPN 40V。MMBT3904LT1G和MMBT3904TT1G;NSCT3904LT3G哪个好:MMBT3904LT1G ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 300 hFE;MMBT3904TT1G ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904TT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 300 hFE;NSCT3904LT3G SOT-23 NPN 40V 0.2A。MMBT3904LT1G和MMBT3904TT1G,NSCT3904LT3G对比:MMBT3904LT1G 封装:SOT-23-3,引脚:3,频率:300 MHz,额定功率:0.3 W,功耗:225 mW,针脚数:3,额定电压:40.0 V,极性:NPN,击穿电压:40 V,集电极最大允许电流:0.2A,最小电流放大倍数:100 @10mA, 1V,eccn代码:EAR99,香港进出口证:NLR,额定电流:200 mA,材质:Silicon,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),长度:2.9 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.94 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,工作结温:-55℃ ~ 150℃,耗散功率:300 mW,reach svhc版本:2016/06/20,晶体管极性:NPN,额定功率:300 mW,汽车级:Yes,直流电流增益:300,工业级:Yes;MMBT3904TT1G 封装:SC-75-3,引脚:3,频率:300 MHz,功耗:300 mW,针脚数:3,额定电压:40.0 V,极性:NPN,击穿电压:40 V,集电极最大允许电流:0.2A,最小电流放大倍数:100 @10mA, 1V,eccn代码:EAR99,香港进出口证:NLR,额定电流:200 mA,材质:Silicon,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),长度:1.65 mm,宽度:0.9 mm,高度:0.8 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,额定功率:300 mW,工业级:Yes,直流电流增益:30,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:300 mW,reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:NPN,汽车级:Yes;NSCT3904LT3G 封装:SOT-23-3,额定电压:40.0 V,极性:NPN,击穿电压:40 V,集电极最大允许电流:0.2A,最小电流放大倍数:100 @10mA, 1V,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),安装方式:Surface Mount,包装:Tape,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Unknown,额定功率:225 mW。

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