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首页 > 电子元器件分类 > 双极性晶体管 > MMBT5551 > MMBT5551腾龙娱乐平台会员登入地址比较:MMBT5551和MMBT5551LT1G 区别差异

MMBT5551MMBT5551LT1GMMBTA06区别

更新时间:2023-12-14 20:07:23
MMBT5551
MMBT5551
飞兆/仙童
VS
MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G
安森美
VS
MMBTA06
MMBTA06
飞兆/仙童
  • 型号
    MMBT5551
    MMBT5551LT1G
    MMBTA06
  • 描述
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5551  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
    MMBT5551 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    ON SEMICONDUCTOR  MMBT5551LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE
    MMBT5551LT1G 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA06  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE
    MMBTA06 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
  • 数据手册
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  • 制造商
    Fairchild (飞兆/仙童)
    ON Semiconductor (安森美)
    Fairchild (飞兆/仙童)
  • 分类
    双极性晶体管
    双极性晶体管
    双极性晶体管
  • 封装参数

  • 安装方式
    Surface Mount
    Surface Mount
    Surface Mount
  • 引脚数
    3
    3
    3
  • 封装
    SOT-23-3
    SOT-23-3
    SOT-23-3
  • 技术参数

  • 额定电压(DC)
    160 V
    160 V
    80.0 V
  • 额定电流
    600 mA
    600 mA
    500 mA
  • 额定功率
    -
    0.225 W
    350 mW
  • 针脚数
    3
    3
    3
  • 极性
    NPN
    NPN
    NPN
  • 耗散功率
    350 mW
    225 mW
    350 mW
  • 击穿电压(集电极-发射极)
    160 V
    160 V
    80 V
  • 集电极最大允许电流
    -
    0.6A
    -
  • 最小电流放大倍数(hFE)
    80 @10mA, 5V
    80 @10mA, 5V
    100 @100mA, 1V
  • 最大电流放大倍数(hFE)
    -
    250
    -
  • 额定功率(Max)
    350 mW
    225 mW
    350 mW
  • 直流电流增益(hFE)
    250
    80
    100
  • 工作温度(Max)
    150 ℃
    150 ℃
    150 ℃
  • 工作温度(Min)
    -55 ℃
    -55 ℃
    -55 ℃
  • 耗散功率(Max)
    350 mW
    300 mW
    0.35 W
  • 频率
    300 MHz
    -
    100 MHz
  • 集电极击穿电压
    -
    -
    80.0 V
  • 外形尺寸

  • 长度
    2.92 mm
    2.9 mm
    2.92 mm
  • 宽度
    1.3 mm
    1.3 mm
    1.3 mm
  • 高度
    0.93 mm
    0.94 mm
    0.93 mm
  • 封装
    SOT-23-3
    SOT-23-3
    SOT-23-3
  • 物理参数

  • 材质
    -
    Silicon
    -
  • 工作温度
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
  • 其他

  • 产品生命周期
    Active
    Active
    Active
  • 包装方式
    Tape & Reel (TR)
    Tape & Reel (TR)
    Tape & Reel (TR)
  • 符合标准

  • RoHS标准
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
  • 含铅标准
    Lead Free
    Lead Free
    Lead Free
  • REACH SVHC标准
    No SVHC
    No SVHC
    No SVHC
  • REACH SVHC版本
    2015/06/15
    2015/12/17
    2015/06/15
  • 海关信息

  • ECCN代码
    EAR99
    EAR99
    EAR99
  • HTS代码
    8541210075
    -
    -
  • 参考价格(
    $ 0.030 全部价格 (14家)
    $ 0.025 全部价格 (17家)
    $ 0.049 全部价格 (15家)
  • 总库存量(pcs)
    227.3k
    25.8k
    0
  • 概述

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    集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 180V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 160V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100Mhz~300Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 30~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 150mV~250mV 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| • This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers. • Suffix “-C” means Center Collector in 2N5551 (1. Emitter 2. Collector 3. Base) • Suffix “-Y” means hFE 180~240 in 2N5551 (Test condition : IC = 10mA, VCE = 5.0V) 描述与应用| 这个装置是专为通用高电压放大器和气体放电显示驱动程序。 •后缀“-C”指中心集电极2N5551(1集电极发射23。基地) •后缀“-Y”表示HFE180〜2402N5551(测试条件:IC=10mA时,VCE= 5.0V)

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    小信号 NPN 晶体管ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

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    The MMBTA06 is an NPN General-purpose Amplifier designed for general-purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA.

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    MMBT5551LT1G 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    MMBTA06 更多腾龙娱乐平台会员登入地址

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
MMBTA06
MMBTA06
飞兆/仙童
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA06  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE
MMBT5551和MMBTA06区别
KST5551MTF
KST5551MTF
飞兆/仙童
双极性晶体管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
MMBT5551和KST5551MTF区别
MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G
安森美
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
ON SEMICONDUCTOR  MMBT5551LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE
MMBT5551和MMBT5551LT1G区别
MMBT5551-7-F
MMBT5551-7-F
美台
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
三极管
MMBT5551和MMBT5551-7-F区别
MMBT5551LT3G
MMBT5551LT3G
安森美
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
MMBT5551和MMBT5551LT3G区别
MMBT5551-TP
MMBT5551-TP
美微科
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS  MMBT5551-TP  双极性晶体管, NPN, 160VDC, SOT-23
MMBT5551和MMBT5551-TP区别
MMBT5551
MMBT5551
安森美
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
高电压晶体管 High Voltage Transistors
MMBT5551和MMBT5551区别
PMBT5551,215
PMBT5551,215
安世
双极性晶体管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
小信号 NPN 晶体管,Nexperia ### 双极晶体管,Nexperia
MMBT5551和PMBT5551,215区别

MMBT5551和MMBT5551LT1G,MMBTA06的区别:MMBT5551 SOT-23 NPN 160V 600mA 0.35(W);MMBT5551LT1G SOT-23 NPN 160V 600mA 300mW,MMBTA06 SOT-23 NPN 80V 500mA 350mW。MMBT5551和MMBT5551LT1G;MMBTA06哪个好:MMBT5551 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5551  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE;MMBT5551LT1G ON SEMICONDUCTOR  MMBT5551LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE;MMBTA06 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA06  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE。MMBT5551和MMBT5551LT1G,MMBTA06对比:MMBT5551 封装:SOT-23-3,引脚:3,频率:300 MHz,功耗:350 mW,针脚数:3,额定电压:160 V,极性:NPN,eccn代码:EAR99,hts代码:8541210075,击穿电压:160 V,最小电流放大倍数:80 @10mA, 5V,额定电流:600 mA,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),长度:2.92 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.93 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,晶体管极性:NPN,工业级:Yes,额定功率:350 mW,直流电流增益:250,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:350 mW,reach svhc版本:2015/06/15;MMBT5551LT1G 封装:SOT-23-3,引脚:3,额定功率:0.225 W,功耗:225 mW,针脚数:3,额定电压:160 V,极性:NPN,最小电流放大倍数:80 @10mA, 5V,最大电流放大倍数:250,eccn代码:EAR99,击穿电压:160 V,集电极最大允许电流:0.6A,额定电流:600 mA,材质:Silicon,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),长度:2.9 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.94 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:NPN,汽车级:Yes,额定功率:225 mW,工业级:Yes,直流电流增益:80,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:300 mW;MMBTA06 封装:SOT-23-3,引脚:3,频率:100 MHz,额定功率:350 mW,功耗:350 mW,针脚数:3,额定电压:80.0 V,极性:NPN,击穿电压:80 V,最小电流放大倍数:100 @100mA, 1V,eccn代码:EAR99,额定电流:500 mA,集电极击穿电压:80.0 V,工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),长度:2.92 mm,宽度:1.3 mm,高度:0.93 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,耗散功率:0.35 W,reach svhc版本:2015/06/15,晶体管极性:NPN,额定功率:350 mW,直流电流增益:100,工作温度:150 ℃,工作温度:-55 ℃。

型号对应页索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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