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首页 > 电子元器件分类 > MOS管 > NTD18N06LT4G > NTD18N06LT4G腾龙娱乐平台会员登入地址比较:NTD18N06LT4G和STD12NF06LT4 区别差异

NTD18N06LT4GSTD12NF06LT4STD12NF06L区别

更新时间:2023-12-14 20:06:50
NTD18N06LT4G
NTD18N06LT4G
安森美
VS
STD12NF06LT4
STD12NF06LT4
意法半导体
VS
STD12NF06L
STD12NF06L
意法半导体
  • 型号
    NTD18N06LT4G
    STD12NF06LT4
    STD12NF06L
  • 描述
    ON SEMICONDUCTOR  NTD18N06LT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新
    NTD18N06LT4G 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    STMICROELECTRONICS  STD12NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
    STD12NF06LT4 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    STMICROELECTRONICS  STD12NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 V
    STD12NF06L 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
  • 数据手册
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  • 制造商
    ON Semiconductor (安森美)
    ST Microelectronics (意法半导体)
    ST Microelectronics (意法半导体)
  • 分类
    MOS管
    MOS管
    MOS管
  • 封装参数

  • 安装方式
    Surface Mount
    Surface Mount
    Surface Mount
  • 引脚数
    3
    3
    3
  • 封装
    TO-252-3
    TO-252-3
    TO-252
  • 技术参数

  • 针脚数
    3
    3
    3
  • 漏源极电阻
    0.054 Ω
    0.08 Ω
    0.08 Ω
  • 极性
    N-Channel
    N-Channel
    N-Channel
  • 耗散功率
    55 W
    30 W
    30 W
  • 阈值电压
    1.8 V
    3 V
    2 V
  • 漏源极电压(Vds)
    60 V
    60 V
    60 V
  • 连续漏极电流(Ids)
    18.0 A
    12.0 A
    12.0 A
  • 工作温度(Max)
    175 ℃
    175 ℃
    175 ℃
  • 工作温度(Min)
    -55 ℃
    -55 ℃
    -55 ℃
  • 耗散功率(Max)
    2.1 W
    42.8W (Tc)
    30 W
  • 额定电压(DC)
    60.0 V
    60.0 V
    -
  • 额定电流
    18.0 A
    12.0 A
    -
  • 输入电容
    482pF @25V
    350 pF
    -
  • 漏源击穿电压
    60.0 V
    60.0 V
    -
  • 栅源击穿电压
    ±15.0 V
    ±16.0 V
    -
  • 上升时间
    79 ns
    35 ns
    -
  • 输入电容(Ciss)
    675pF @25V(Vds)
    350pF @25V(Vds)
    -
  • 额定功率(Max)
    55 W
    30 W
    -
  • 下降时间
    38 ns
    13 ns
    -
  • 通道数
    1
    -
    -
  • 外形尺寸

  • 长度
    6.73 mm
    6.6 mm
    6.6 mm
  • 宽度
    6.22 mm
    6.2 mm
    6.2 mm
  • 高度
    2.38 mm
    2.4 mm
    2.4 mm
  • 封装
    TO-252-3
    TO-252-3
    TO-252
  • 其他

  • 产品生命周期
    Active
    Active
    Pre-Release
  • 包装方式
    Tape & Reel (TR)
    Tape & Reel (TR)
    Cut Tape (CT)
  • 符合标准

  • RoHS标准
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
  • 含铅标准
    Lead Free
    Lead Free
    Lead Free
  • REACH SVHC标准
    -
    No SVHC
    No SVHC
  • REACH SVHC版本
    2015/12/17
    2015/12/17
    2015/12/17
  • 物理参数

  • 工作温度
    -55℃ ~ 175℃ (TJ)
    -55℃ ~ 175℃ (TJ)
    -
  • 海关信息

  • ECCN代码
    EAR99
    EAR99
    -
  • 香港进出口证
    NLR
    -
    -
  • 参考价格(
    $ 0.651 全部价格 (16家)
    $ 0.067 全部价格 (16家)
    $ 0.450 全部价格 (3家)
  • 总库存量(pcs)
    3.3k
    444.5k
    0
  • 概述

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    N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

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    N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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    The STD12NF06L is a 60V N-channel Power MOSFET developed using unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the MOSFET suitable for use as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.

    .
    Exceptional dv/dt capability
    .
    Low gate charge
    .
    High peak power
    .
    High ruggedness capability

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    NTD18N06LT4G 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
NTD3055L104T4G
NTD3055L104T4G
安森美
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V
NTD18N06LT4G和NTD3055L104T4G区别
NTD3055L104-1G
NTD3055L104-1G
安森美
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104-1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V 新
NTD18N06LT4G和NTD3055L104-1G区别
NTD3055L104G
NTD3055L104G
安森美
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 104 mohm, 5 V, 1.6 V
NTD18N06LT4G和NTD3055L104G区别
NTD18N06LG
NTD18N06LG
安森美
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
功率MOSFET Power MOSFET
NTD18N06LT4G和NTD18N06LG区别
NTD18N06T4G
NTD18N06T4G
安森美
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
60V,18A,N沟道MOSFET
NTD18N06LT4G和NTD18N06T4G区别
NTD18N06G
NTD18N06G
安森美
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
18A,60V功率MOSFET
NTD18N06LT4G和NTD18N06G区别
NTD18N06LT4
NTD18N06LT4
安森美
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
功率MOSFET Power MOSFET
NTD18N06LT4G和NTD18N06LT4区别
NTD18N06L-1G
NTD18N06L-1G
安森美
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
18A,60V功率MOSFET
NTD18N06LT4G和NTD18N06L-1G区别
NTD18N06-1G
NTD18N06-1G
安森美
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
18A,60V功率MOSFET
NTD18N06LT4G和NTD18N06-1G区别
NTD18N06T4
NTD18N06T4
安森美
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
DPAK N-CH 60V 18A
NTD18N06LT4G和NTD18N06T4区别

NTD18N06LT4G和STD12NF06LT4,STD12NF06L的区别:NTD18N06LT4G TO-252 N-Channel 60V 18A 54mohms;STD12NF06LT4 TO-252 N-Channel 60V 12A 100mΩ,STD12NF06L DPAK N-Channel 60V 12A 80mΩ。NTD18N06LT4G和STD12NF06LT4;STD12NF06L哪个好:NTD18N06LT4G ON SEMICONDUCTOR  NTD18N06LT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新;STD12NF06LT4 STMICROELECTRONICS  STD12NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V;STD12NF06L STMICROELECTRONICS  STD12NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 V。NTD18N06LT4G和STD12NF06LT4,STD12NF06L对比:NTD18N06LT4G 封装:TO-252-3,引脚:3,通道数:1,功耗:55 W,针脚数:3,上升时间:79 ns,输入电容:482pF @25V,额定电压:60.0 V,漏源极电阻:0.054 Ω,极性:N-Channel,eccn代码:EAR99,阈值电压:1.8 V,香港进出口证:NLR,漏源极电压:60 V,额定电流:18.0 A,漏源击穿电压:60.0 V,栅源击穿电压:±15.0 V,连续漏极电流:18.0 A,工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),长度:6.73 mm,宽度:6.22 mm,高度:2.38 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,下降时间:38 ns,工作温度:175 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:2.1 W,reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:N Channel,输入电容:675pF @25V(Vds),额定功率:55 W;STD12NF06LT4 封装:TO-252-3,引脚:3,功耗:30 W,针脚数:3,输入电容:350 pF,上升时间:35 ns,额定电压:60.0 V,漏源极电阻:0.08 Ω,极性:N-Channel,阈值电压:3 V,漏源极电压:60 V,eccn代码:EAR99,额定电流:12.0 A,漏源击穿电压:60.0 V,栅源击穿电压:±16.0 V,连续漏极电流:12.0 A,工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),长度:6.6 mm,宽度:6.2 mm,高度:2.4 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,输入电容:350pF @25V(Vds),汽车级:Yes,额定功率:30 W,工业级:Yes,下降时间:13 ns,工作温度:175 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:42.8W (Tc),reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:N Channel;STD12NF06L 封装:TO-252,引脚:3,功耗:30 W,针脚数:3,漏源极电阻:0.08 Ω,极性:N-Channel,阈值电压:2 V,漏源极电压:60 V,连续漏极电流:12.0 A,长度:6.6 mm,宽度:6.2 mm,高度:2.4 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Cut Tape (CT),reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Pre-Release,工作温度:175 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:30 W,reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:N Channel,工业级:Yes。

型号对应页索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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