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首页 > 电子元器件分类 > MOS管 > STP55NF06 > STP55NF06腾龙娱乐平台会员登入地址比较:STP55NF06和STP60NF06L 区别差异

STP55NF06STP60NF06LFQP50N06L区别

更新时间:2023-12-13 20:34:21
STP55NF06
STP55NF06
意法半导体
VS
STP60NF06L
STP60NF06L
意法半导体
VS
FQP50N06L
FQP50N06L
飞兆/仙童
  • 型号
    STP55NF06
    STP60NF06L
    FQP50N06L
  • 描述
    MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
    STP55NF06 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
    STP60NF06L 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
    QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    FQP50N06L 更多腾龙娱乐平台会员登入地址
  • 数据手册
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  • 制造商
    ST Microelectronics (意法半导体)
    ST Microelectronics (意法半导体)
    Fairchild (飞兆/仙童)
  • 分类
    MOS管
    MOS管
    MOS管
  • 封装参数

  • 安装方式
    Through Hole
    Through Hole
    Through Hole
  • 引脚数
    3
    3
    3
  • 封装
    TO-220-3
    TO-220-3
    TO-220-3
  • 技术参数

  • 额定电压(DC)
    60.0 V
    60.0 V
    60.0 V
  • 额定电流
    50.0 A
    60.0 A
    52.4 A
  • 通道数
    1
    -
    1
  • 针脚数
    3
    3
    3
  • 漏源极电阻
    0.015 Ω
    0.014 Ω
    0.017 Ω
  • 极性
    N-Channel
    N-Channel
    N-Channel
  • 耗散功率
    30 W
    110 W
    121 W
  • 阈值电压
    3 V
    1 V
    2.5 V
  • 输入电容
    -
    -
    1.25 nF
  • 栅电荷
    -
    -
    24.5 nC
  • 漏源极电压(Vds)
    60 V
    60 V
    60 V
  • 漏源击穿电压
    60.0 V
    60.0 V
    60.0 V
  • 栅源击穿电压
    ±20.0 V
    ±15.0 V
    ±20.0 V
  • 连续漏极电流(Ids)
    50.0 A
    60.0 A
    52.0 A
  • 上升时间
    50 ns
    220 ns
    380 ns
  • 输入电容(Ciss)
    1300pF @25V(Vds)
    2000pF @25V(Vds)
    1630pF @25V(Vds)
  • 额定功率(Max)
    110 W
    110 W
    121 W
  • 下降时间
    15 ns
    30 ns
    145 ns
  • 工作温度(Max)
    175 ℃
    175 ℃
    175 ℃
  • 工作温度(Min)
    -55 ℃
    -65 ℃
    -55 ℃
  • 耗散功率(Max)
    110W (Tc)
    110W (Tc)
    121 W
  • 额定功率
    110 W
    -
    -
  • 外形尺寸

  • 长度
    10.4 mm
    10.4 mm
    10.1 mm
  • 宽度
    4.6 mm
    4.6 mm
    4.7 mm
  • 高度
    9.15 mm
    9.15 mm
    9.4 mm
  • 封装
    TO-220-3
    TO-220-3
    TO-220-3
  • 物理参数

  • 工作温度
    -55℃ ~ 175℃
    -65℃ ~ 175℃ (TJ)
    -55℃ ~ 175℃ (TJ)
  • 其他

  • 产品生命周期
    Active
    Active
    Active
  • 包装方式
    Tube
    Tube
    Tube
  • 符合标准

  • RoHS标准
    RoHS Compliant
    RoHS Compliant
  • 含铅标准
    Lead Free
    Lead Free
    Lead Free
  • REACH SVHC标准
    No SVHC
    No SVHC
    No SVHC
  • REACH SVHC版本
    2015/12/17
    -
    2015/06/15
  • 海关信息

  • ECCN代码
    -
    EAR99
    EAR99
  • 香港进出口证
    -
    -
    NLR
  • 参考价格(
    $ 1.117 全部价格 (16家)
    $ 1.720 全部价格 (14家)
    $ 0.803 全部价格 (10家)
  • 总库存量(pcs)
    608
    590
    158
  • 概述

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    N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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    N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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    The FQP50N06L is a 60V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This product is general usage and suitable for many different applications.

    .
    Low gate charge
    .
    100% Avalanche tested
    .
    Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
    .
    Switching loss improvements
    .
    Lower conduction loss
    .
    175°C Maximum junction temperature rating

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器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
STP16NF06L
STP16NF06L
意法半导体
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  STP16NF06L..  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 16A, TO-220
STP55NF06和STP16NF06L区别
STP60NF06
STP60NF06
意法半导体
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V
STP55NF06和STP60NF06区别
STB55NF06T4
STB55NF06T4
意法半导体
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
STP55NF06和STB55NF06T4区别
STP60NF06L
STP60NF06L
意法半导体
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
STP55NF06和STP60NF06L区别
STP36NF06L
STP36NF06L
意法半导体
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  STP36NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V
STP55NF06和STP36NF06L区别
STP55NF06L
STP55NF06L
意法半导体
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  STP55NF06L..  场效应管, MOSFET, N沟道
STP55NF06和STP55NF06L区别
STP20NF06L
STP20NF06L
意法半导体
MOS管
类似代替 功能特性相符,部分主要参数一致,但元件电气特性有一些不同
STMICROELECTRONICS  STP20NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 60 mohm, 10 V, 3 V
STP55NF06和STP20NF06L区别
STD13N60M2
STD13N60M2
意法半导体
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics MDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
STP55NF06和STD13N60M2区别
STD120N4F6
STD120N4F6
意法半导体
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
N沟道40 V , 3.5 MI © , 80 A, DPAK , D²PAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 40 V, 3.5 mΩ , 80 A, DPAK, D²PAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET
STP55NF06和STD120N4F6区别
STD70NS04ZL
STD70NS04ZL
意法半导体
MOS管
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
33V,70A,N沟道MOSFET
STP55NF06和STD70NS04ZL区别

STP55NF06和STP60NF06L,FQP50N06L的区别:STP55NF06 TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ;STP60NF06L TO-220 N-Channel 60V 60A 14mΩ,FQP50N06L TO-220 N-Channel 60V 52A 21mohms 1.25nF。STP55NF06和STP60NF06L;FQP50N06L哪个好:STP55NF06 MOSFET 晶体管,STMicroelectronics;STP60NF06L N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics;FQP50N06L QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。。STP55NF06和STP60NF06L,FQP50N06L对比:STP55NF06 封装:TO-220-3,引脚:3,通道数:1,额定功率:110 W,功耗:30 W,针脚数:3,上升时间:50 ns,额定电压:60.0 V,漏源极电阻:0.015 Ω,极性:N-Channel,漏源极电压:60 V,阈值电压:3 V,额定电流:50.0 A,漏源击穿电压:60.0 V,栅源击穿电压:±20.0 V,连续漏极电流:50.0 A,工作温度:-55℃ ~ 175℃,长度:10.4 mm,宽度:4.6 mm,高度:9.15 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:175 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:110W (Tc),reach svhc版本:2015/12/17,晶体管极性:N Channel,输入电容:1300pF @25V(Vds),工业级:Yes,额定功率:110 W,下降时间:15 ns;STP60NF06L 封装:TO-220-3,引脚:3,功耗:110 W,针脚数:3,上升时间:220 ns,额定电压:60.0 V,漏源极电阻:0.014 Ω,极性:N-Channel,eccn代码:EAR99,阈值电压:1 V,漏源极电压:60 V,额定电流:60.0 A,漏源击穿电压:60.0 V,栅源击穿电压:±15.0 V,连续漏极电流:60.0 A,工作温度:-65℃ ~ 175℃ (TJ),长度:10.4 mm,宽度:4.6 mm,高度:9.15 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:Compliant with Exemption,产品生命周期:Active,耗散功率:110W (Tc),晶体管极性:N Channel,工业级:Yes,输入电容:2000pF @25V(Vds),额定功率:110 W,下降时间:30 ns,工作温度:175 ℃,工作温度:-65 ℃;FQP50N06L 封装:TO-220-3,引脚:3,通道数:1,功耗:121 W,针脚数:3,输入电容:1.25 nF,上升时间:380 ns,额定电压:60.0 V,漏源极电阻:0.017 Ω,极性:N-Channel,阈值电压:2.5 V,eccn代码:EAR99,香港进出口证:NLR,漏源极电压:60 V,额定电流:52.4 A,漏源击穿电压:60.0 V,栅源击穿电压:±20.0 V,连续漏极电流:52.0 A,工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),栅电荷:24.5 nC,长度:10.1 mm,宽度:4.7 mm,高度:9.4 mm,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No SVHC,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,reach svhc版本:2015/06/15,晶体管极性:N Channel,输入电容:1630pF @25V(Vds),额定功率:121 W,下降时间:145 ns,工作温度:175 ℃,工作温度:-55 ℃,耗散功率:121 W。

型号对应页索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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